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標簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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晶閘管是一種常用的電子器件,它是由多個PN結(jié)組成的,主要包括兩個PN結(jié)和三個電極。下面我將詳細介紹晶閘管的結(jié)構(gòu)、原理和應(yīng)用。 一、晶閘管的結(jié)構(gòu) 晶閘管是...
PN結(jié)是一種常見的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成,這兩種半導(dǎo)體材料具有不同的摻雜濃度,形成一個正負載流的結(jié)構(gòu)。當在PN結(jié)上施加正向電壓時,會...
結(jié)構(gòu)函數(shù)的由來及推導(dǎo)過程
在前面的《T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測試RθJC(θJC)》文章中,我們介紹了結(jié)構(gòu)函數(shù)的一些應(yīng)用雙界面分離法測試RJc,結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用于產(chǎn)品內(nèi)...
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關(guān)動作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強度的定義,失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電...
光電管是一種利用光電效應(yīng)工作的電子器件,其核心原理是光子與物質(zhì)相互作用,導(dǎo)致電子從原子中釋放出來,形成自由電子和空穴。
最后一篇談及Si二極管。本篇將說明快速恢復(fù)二極管(以下簡稱為FRD)的特征、改善特性及其相關(guān)應(yīng)用。Si-FRD的特征:Si-FRD是PN結(jié)二極管,具有高...
2023-02-09 標簽:二極管PN結(jié)快速恢復(fù)二極管 2395 0
穩(wěn)壓二極管,英文名稱Zenerdiode,又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。
2023-04-27 標簽:穩(wěn)壓二極管電壓PN結(jié) 2379 0
我們知道PN結(jié)半導(dǎo)體具有單相導(dǎo)電的性能,但是由PN結(jié)構(gòu)成的各種二極管(Diode)器件的單相導(dǎo)電性是沒辦法進行主動控制的,因此這類器件也稱為 **被動器...
單相可控硅的結(jié)構(gòu)比較簡單。它主要由PN結(jié)和操控結(jié)構(gòu)組成。PN結(jié)為正向?qū)ǎ谡胫艿那闆r下,直流主路通過PN結(jié),實現(xiàn)對負載電流的控制。操控結(jié)構(gòu)通常由火焰...
半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵參數(shù)解析:從基礎(chǔ)到應(yīng)用
半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的重要元件,它們的工作原理和性能特性都與一些基本的物理公式和參數(shù)緊密相關(guān)。本文將詳細闡述半導(dǎo)體器件的基本公式,包括半導(dǎo)...
2024-06-18 標簽:PN結(jié)半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體封裝 2308 0
穩(wěn)壓二極管起穩(wěn)壓作用的條件主要包括以下幾個方面: 一、反向偏置 穩(wěn)壓二極管在電路中必須處于反向偏置狀態(tài),即其正極接低電位,負極接高電位。這是穩(wěn)壓二極管能...
2024-08-29 標簽:電流穩(wěn)壓二極管電壓 2293 0
雙向觸發(fā)二極管(Bidirectional Trigger Diode,簡稱DBD)是一種特殊的二極管,具有雙向觸發(fā)特性。DB3和DB4是兩種常見的雙向...
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