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詳解14種常用產品表面處理工藝

CMF是Color-Material-Finishing?的縮寫，也就是顏色、材料、表面處理的概括。即Color、Material?、Finish三者的...

2024-12-30 標簽：PVD 噴涂 IMD 238 0

什么是無定形碳膜？為什么選碳作為3D NAND的硬掩模？

無定形碳膜（Amorphous Carbon Film），即非晶碳膜，指的是一種由碳原子構成但沒有長程有序結構的薄膜材料。

2024-03-22 標簽：NAND PVD CVD 2191 0

薄膜淀積工藝的保角性=臺階覆蓋性嗎？如何做到好的保角性呢？

薄膜的保角性，又稱保形性，指的是薄膜淀積臺階覆蓋能力和空隙填充能力，以及保留原始形狀的能力。

2024-01-02 標簽：PVD TSV 2915 0

一文詳解金屬薄膜沉積工藝及金屬化

金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩定均勻的有效功函數，兩種工藝都對薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對金屬薄膜沒有臺階...

2023-12-11 標簽：集成電路射頻 PVD 3987 0

90%的模具人都搞不懂模具爆裂是什么？模具爆裂原因分析

模具材質不好在后續加工中容易碎裂

2023-11-25 標簽：PVD 壓力機 HRC 1485 0

淺談陶瓷薄膜

什么是薄膜？薄膜是指許多技術，它們是沉積和加工從幾微米厚到單個原子層的薄層的工藝。用作基板的薄層材料和應用差異很大，我們在日常生活中被它們所包圍：用于...

2023-08-10 標簽：PCB 薄膜電路板 1366 0

ALD在高深寬比器件制造上不可替代的應用

在集成電路領域中，深寬比被定義為刻蝕深度與刻蝕圖形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一個重要指標，通常與刻蝕的特征...

2023-07-14 標簽：集成電路晶體管 PVD 2387 0

技術前沿：原子層沉積ALD介紹

薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學、電學等方面的特殊性能。

2023-07-13 標簽：光伏電池 mems PVD 1.2萬 1

原子層ALD沉積介紹

原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學氣相沉積技術。

2023-06-15 標簽：半導體 PVD CVD 3579 0

與傳統濺射或熱蒸發技術相比，離子束輔助沉積有哪些優勢？

離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術，可與濺射或熱蒸發工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質量薄膜。

2023-06-08 標簽：PVD IAD IBS 2145 1

淺析芯片沉積工藝

在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。

2023-06-08 標簽：邏輯電路 PVD 儲存器 3695 0

基于PVD 薄膜沉積工藝

PVD篇 PVD是通過濺射或蒸發靶材材料來產生金屬蒸汽，然后將金屬蒸汽冷凝在晶圓表面上的過程。應用材料公司在 PVD 技術開發方面擁有 25 年以上的豐...

2023-05-26 標簽：晶圓邏輯器件 PVD 3513 0

完整的表面處理工藝過程介紹

電鍍是利用電解原理在某些金屬或其它材料制件的表面鍍上一薄層其它金屬或合金的過程。

2023-03-23 標簽：電鍍 PVD 蝕刻 752 0

對Si3N4-AMB覆銅基板較為關心的三大方面

隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。

2023-03-16 標簽：PVD SiC 功率模塊 2976 0

PVD和CVD無機薄膜沉積方式大全

濺射鍍膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氬(Ar)氣的真空條件下，使氬氣進行輝光放電，這時氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)，氬離子...

2023-02-24 標簽：半導體 PVD 激光束 4914 0

純化學刻蝕、純物理刻蝕及反應式離子刻蝕介紹

刻蝕有三種:純化學刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。

2023-02-20 標簽：PVD 反應離子刻蝕 4115 0

TSV的工藝流程和關鍵技術綜述

TSV 是目前半導體制造業中最為先進的技術之一，已經應用于很多產品生產。實現其制程的關鍵設備選擇與工藝選擇息息相關，在某種程度上直接決定了 TSV 的...

2023-02-17 標簽：半導體 PVD CMP 8627 0

等離子體刻蝕工藝簡介

鋁刻蝕可以使用多種不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...

2023-02-17 標簽：PVD ICP CVD 2388 0

CKS32F4xx系列產品PVD模塊操作流程

CKS32F4xx系列產品提供了可編程電壓檢測器PVD，用于對MCU供電電壓VDD進行監控，當檢測到電壓低于或者高于PVD設置的閾值時，會向內核產生一個...

2023-02-13 標簽：mcu 寄存器電壓 827 0

濕法刻蝕工藝的流程包括哪些？

濕法刻蝕利用化學溶液溶解晶圓表面的材料，達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學反應的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。

2023-02-10 標簽：半導體硅晶圓 PVD 6067 0

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