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為了了解RF器件的ACLR來源可以對寬帶載波頻譜進行模擬,相當于獨立的CW副載波集合。每個副載波都會攜帶一部分總的載波功率。
MicroVac卡盤–提高了薄型高功率RF器件的良率和測試精度
在將器件切割并組裝到封裝/散熱器中之前,通常在探針臺晶片夾盤上利用變薄的晶片執行電測試。當薄的晶圓位于卡盤上時,由于以下原因,在整個薄的晶圓接觸區域上均...
來自副載波1和3的IMD3分量在與載波1間距相同的頻率處具有IMD3失真分量。這在載波頻譜的左邊產生第二個“紅色” IM分量。同樣,來自副載波1和4的I...
全球芯片短缺主要表現在成熟晶圓工藝生產的器件,包括電源管理、MCU、RF器件、傳感器和各種分立器件等。全球200mm晶圓廠數量有限和產能不足是導致芯片短...
自主的RF測量助手–通過在多個溫度下進行真正的免提RF校準和測量,提高準確性和上市時間 ????????自主射頻測量助手可在多個溫度范圍內實現完全自主,...
???該MicroVac?卡盤專為正在測試高功率RF放大器(通常為HEMT器件,工作頻率高達60 GHz)的客戶而設計。這些高電子遷移率晶體管在III ...
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