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來(lái)自副載波1和3的IMD3分量在與載波1間距相同的頻率處具有IMD3失真分量。這在載波頻譜的左邊產(chǎn)生第二個(gè)“紅色” IM分量。同樣,來(lái)自副載波1和4的I...
自主的RF測(cè)量助手–通過(guò)在多個(gè)溫度下進(jìn)行真正的免提RF校準(zhǔn)和測(cè)量,提高準(zhǔn)確性和上市時(shí)間 ????????自主射頻測(cè)量助手可在多個(gè)溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)完全自主,...
MicroVac卡盤提高薄型高功率RF器件的良率和測(cè)試精度
???該MicroVac?卡盤專為正在測(cè)試高功率RF放大器(通常為HEMT器件,工作頻率高達(dá)60 GHz)的客戶而設(shè)計(jì)。這些高電子遷移率晶體管在III ...
解決全球芯片短缺的關(guān)鍵是增加200mm晶圓產(chǎn)能嗎?
全球芯片短缺主要表現(xiàn)在成熟晶圓工藝生產(chǎn)的器件,包括電源管理、MCU、RF器件、傳感器和各種分立器件等。全球200mm晶圓廠數(shù)量有限和產(chǎn)能不足是導(dǎo)致芯片短...
在 RF測(cè)試 能夠進(jìn)行之前,必須測(cè)試這些器件的直流工作狀態(tài)。對(duì)于二極管來(lái)說(shuō),包括正向壓降、反響擊穿電壓和結(jié)漏電流。對(duì)于三極管,這包括不同的結(jié)擊穿電壓、結(jié)...
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