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碳化硅(SiC)是一種具有優異物理特性的半導體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導率、高擊穿場強和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領域具有廣泛的應用前景。
SiC產品和Si產品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征
我們從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結構開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢壘,將半導體SiC與金屬相接合(肖特基結)。結構與Si肖特...
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。
淺談第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的設備的效率與安全余量
-進入主題之前請您介紹了很多基礎內容,下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”,首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎...
200V耐壓肖特基勢壘二極管:RBxx8BM200/RBxx8NS200
RBxx8BM200和RBxx8NS200是具有超低IR(反向電流)的肖特基勢壘二極管(SBD),且實現了200V耐壓的肖特基勢壘二極管的新產品。主要目...
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