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標(biāo)簽 > sbd
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肖特基二極管的關(guān)鍵參數(shù)和選型要點(diǎn)
提到低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件,很多工程師同學(xué)肯定能首先想到肖特基二極管(SBD)。但是,你真的會(huì)用肖特基二極管嗎?跟其他的二極管相比,肖特基二極...
2023-05-05 標(biāo)簽:變壓器二極管開關(guān)電源 6828 0
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。...
近年來,半導(dǎo)體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導(dǎo)體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)(MV/cm)和...
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。
200V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管:RBxx8BM200/RBxx8NS200
RBxx8BM200和RBxx8NS200是具有超低IR(反向電流)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD),且實(shí)現(xiàn)了200V耐壓的肖特基勢(shì)壘二極管的新產(chǎn)品。主要目...
如何在linux系統(tǒng)配置交換分區(qū)(swap)呢?
SWAP(交換)分區(qū)是一種通過在硬盤中預(yù)先劃分一定的空間,然后將把內(nèi)存中暫時(shí)不常用的數(shù)據(jù)臨時(shí)存放到硬盤中
2023-11-14 標(biāo)簽:Linux系統(tǒng)交換機(jī)SBD 1534 0
SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢(shì)
關(guān)于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 標(biāo)簽:SBDSiC肖特基勢(shì)壘二極管 1438 0
具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)
北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的性能
淺談第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的設(shè)備的效率與安全余量
-進(jìn)入主題之前請(qǐng)您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容,下面請(qǐng)您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”,首先請(qǐng)您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSBDSiC-MOSFET 1105 0
SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管的比較
繼SiC功率元器件的概述之后,將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管:下面從SiC肖...
再次談及Si二極管,將說明肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱為SBD)的相關(guān)特征和應(yīng)用。 Si-SBD的特征:如前文所述,Si-SBD并非PN結(jié),而是利用硅稱之...
2023-02-09 標(biāo)簽:二極管SBD肖特基勢(shì)壘二極管 950 0
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢(shì),包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,3倍的帶隙,以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
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