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第三代半導(dǎo)體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

2021年6月，富士經(jīng)濟對SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場進行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場預(yù)計到 2030 年將達到 404...

2021-06-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 IGBT 2244 0

SBD器件中的肖特基二極管漏電流機制

根據(jù)《漲知識啦》第32期可知，隨著反向偏壓的增大，肖特基二極管漏電流的增幅遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了耗盡區(qū)內(nèi)空間電荷產(chǎn)生電流的水平，隨后，研究人員發(fā)現(xiàn)在肖特基勢壘二極管...

2021-05-12 標(biāo)簽：二極管 SBD 4456 0

SBD器件中的肖特基二極管漏電流機制 (上)

肖特基勢壘二極管 (Schottky barrier diodes, 簡稱 SBD) 是與PN結(jié)二極管有著同樣整流接觸的功率二極管結(jié)構(gòu)，它是通過金屬和半...

2021-04-07 標(biāo)簽：二極管 SBD 2754 0

JBS or MPS：兩種結(jié)構(gòu)相似和設(shè)計方法完全不同的器件

本周《漲知識啦》主要給大家介紹的是結(jié)勢壘肖特基二極管（JBS：Junction Barrier Controlled Schottky Diode）和混...

2020-11-19 標(biāo)簽：二極管 SBD 1.1萬 0

肖特基勢壘二極管(SBD)基本的電流輸運機制的講解

大家好，本周小賽給大家介紹的是《漲知識啦》系列內(nèi)容：肖特基勢壘二極管(SBD)基本的電流輸運機制。圖1展示了SBD外加正向偏置時，器件內(nèi)部的能帶及載流...

2020-11-19 標(biāo)簽：電流 SBD 2695 0

關(guān)于SBD基本的電流輸運機制的介紹

2020-11-02 標(biāo)簽：二極管 SBD 884 0

肖特基勢壘二極管(SBD)基本的電流輸運機制

2020-11-02 標(biāo)簽：電流 SBD 1950 0

VCSEL激光器、SBD肖特基二極管最新研究成果

成果一基于Crosslight公司先進的半導(dǎo)體器件設(shè)計平臺，技術(shù)團隊深入探索了實現(xiàn)GaN VCSEL橫向電流限制的根本原因。研究發(fā)現(xiàn)，橫向電流限制不是...

2020-03-10 標(biāo)簽：激光器肖特基二極管 SBD 1154 0

200V肖特基勢壘二極管在xEV市場迎來替代良機

將電機和外圍部件集成于一個模塊的“機電一體化”已成為趨勢，也對于在高溫環(huán)境下工作的高耐壓、高效率肖特基勢壘二極管（SBD）的需求日益高漲。

2019-09-06 標(biāo)簽：二極管 SBD xEV 7221 0

肖特基勢壘二極管新品:散熱特性提高28％、尺寸縮小39％

松下元器件公司發(fā)布了散熱特性較該公司原產(chǎn)品提高28％的肖特基勢壘二極管（SBD）“DB2P系列”。可用于智能手機、平板終端和筆記本電腦機身電源電路部分。

2012-09-11 標(biāo)簽：松下 SBD 肖特基勢壘二極管 1108 0

電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖 (SBD)

具有 TI 無線 SoC 處理器以及時鐘和接口解決方案的電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖 (SBD)。

2012-06-13 標(biāo)簽：SBD 電信基帶單元 2844 0

羅姆展出溝道型SiC制SBD和MOSFET

羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓...

2011-10-12 標(biāo)簽：MOSFET SBD SiC 1220 0

日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驅(qū)動電路

日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驅(qū)動電路豐田中央研究所和三墾電氣分別利用以稱為“NaFlux法”的結(jié)晶成長法制成的GaN底板，試制出

2010-03-04 標(biāo)簽：LED 驅(qū)動 SBD 1381 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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