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JBS or MPS：兩種結構相似和設計方法完全不同的器件

本周《漲知識啦》主要給大家介紹的是結勢壘肖特基二極管（JBS：Junction Barrier Controlled Schottky Diode）和混...

2020-11-19 標簽：二極管 SBD 1.1萬 0

200V肖特基勢壘二極管在xEV市場迎來替代良機

將電機和外圍部件集成于一個模塊的“機電一體化”已成為趨勢，也對于在高溫環境下工作的高耐壓、高效率肖特基勢壘二極管（SBD）的需求日益高漲。

2019-09-06 標簽：二極管 SBD xEV 7221 0

SBD器件中的肖特基二極管漏電流機制

根據《漲知識啦》第32期可知，隨著反向偏壓的增大，肖特基二極管漏電流的增幅遠遠超過了耗盡區內空間電荷產生電流的水平，隨后，研究人員發現在肖特基勢壘二極管...

2021-05-12 標簽：二極管 SBD 4456 0

電信基帶單元的系統方框圖 (SBD)

具有 TI 無線 SoC 處理器以及時鐘和接口解決方案的電信基帶單元的系統方框圖 (SBD)。

2012-06-13 標簽：SBD 電信基帶單元 2844 0

SBD器件中的肖特基二極管漏電流機制 (上)

肖特基勢壘二極管 (Schottky barrier diodes, 簡稱 SBD) 是與PN結二極管有著同樣整流接觸的功率二極管結構，它是通過金屬和半...

2021-04-07 標簽：二極管 SBD 2754 0

肖特基勢壘二極管(SBD)基本的電流輸運機制的講解

大家好，本周小賽給大家介紹的是《漲知識啦》系列內容：肖特基勢壘二極管(SBD)基本的電流輸運機制。圖1展示了SBD外加正向偏置時，器件內部的能帶及載流...

2020-11-19 標簽：電流 SBD 2695 0

肖特基二極管失效機理

肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關元件，在電子設備中得到了廣泛的應用。但是，...

2023-08-29 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 2519 0

第三代半導體高速成長GaN功率元件今年產值可望大增9成

2021年6月，富士經濟對SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導體等下一代功率半導體的全球市場進行了調查。功率半導體市場預計到 2030 年將達到 404...

2021-06-23 標簽：MOSFET 半導體 IGBT 2244 0

肖特基勢壘二極管(SBD)基本的電流輸運機制

2020-11-02 標簽：電流 SBD 1950 0

液相法碳化硅單晶生長技術研究

碳化硅具有高熱導率、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學穩定性、GaN的近晶格常數和熱膨脹系數等優勢。

2023-12-18 標簽：新能源汽車晶圓 SBD 1542 0

瑞能半導體亮相SNEC 2023光伏展

? 瑞能半導體將亮相5月24-26日在上海新國際博覽中心盛大舉行的SNEC 2023光伏展（展位：N5-803），同全球從業者交流光伏產業未來市場趨勢分...

2023-05-23 標簽：光伏 SBD SiC 1385 0

日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驅動電路

日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驅動電路豐田中央研究所和三墾電氣分別利用以稱為“NaFlux法”的結晶成長法制成的GaN底板，試制出

2010-03-04 標簽：LED 驅動 SBD 1381 0

瞻芯電子完成數億元B輪融資為國產碳化硅(SiC)功率器件加碼

近日，上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“ 瞻芯電子 ”）完成數億元B輪融資，本輪融資由國方創新領投，國中資本、臨港新片區基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本...

2023-03-07 標簽：MOSFET 功率器件 SBD 1335 0

羅姆展出溝道型SiC制SBD和MOSFET

羅姆展出了采用溝道構造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓...

2011-10-12 標簽：MOSFET SBD SiC 1220 0

在車載市場中擁有豐碩業績的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產品陣容進一步壯大

通過采用新工藝，RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升，與ROHM以往產品相比，效率提高了25%。

2021-08-06 標簽：SBD 肖特基勢壘二極管 1184 0

京瓷推出一種功率器件LPTO-263封裝

功率器件，是指用于調控和變換電力的器件。從民生用品到工業設備，京瓷集團一直向市場提供各種高品質、高可靠性的節能型產品。

2024-02-23 標簽：散熱片功率器件 SBD 1177 0

VCSEL激光器、SBD肖特基二極管最新研究成果

成果一基于Crosslight公司先進的半導體器件設計平臺，技術團隊深入探索了實現GaN VCSEL橫向電流限制的根本原因。研究發現，橫向電流限制不是...

2020-03-10 標簽：激光器肖特基二極管 SBD 1154 0

北京順義泰科天潤項目一期投資4億元，預計2028年達產

3月4日，北京順義消息顯示，順義區21個在建市區重點產業項目全部復工復產，其中包括泰科天潤建設公司總部、研發中心及8英寸SiC功率器件生產基地項目。

2024-03-11 標簽：新能源汽車 MOSFET 晶圓 1153 0

肖特基勢壘二極管新品:散熱特性提高28％、尺寸縮小39％

松下元器件公司發布了散熱特性較該公司原產品提高28％的肖特基勢壘二極管（SBD）“DB2P系列”。可用于智能手機、平板終端和筆記本電腦機身電源電路部分。

2012-09-11 標簽：松下 SBD 肖特基勢壘二極管 1108 0

SiC功率模塊中微米級Ag燒結連接技術的進展

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時導出成為保證功率器件性能及可靠性的關鍵。

2023-12-13 標簽：功率器件 SBD SiC 1092 0

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