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標簽 > SiC MOSFET
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驅動電路設計(七)——自舉電源在5kW交錯調制圖騰柱PFC應用
隨著功率半導體IGBT,SiCMOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200...
使用寬帶隙半導體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關現在在電力變換器中得到了廣泛應用。SiC晶體管的高速開關特性以及低反向恢復電荷,或氮化鎵HEMT的...
2025-03-21 標簽:電源開關LLC變換器SiC MOSFET 343 0
SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 標簽:SiC驅動電壓SiC MOSFET 2757 0
芯塔電子發布自主研發1700V/5Ω SiC MOSFET產品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 754 0
Sic MOSFET的正柵壓目前已經于Si IGBT相當(+15V) ,但負柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開關速度快引起的EMII問...
1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數據表立即下載
類別:電子資料 2024-01-03 標簽:NexperiaSiC MOSFET 285 0
NSF040L3A0:1200伏,40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南立即下載
類別:電子資料 2023-12-19 標簽:SiC MOSFET 266 0
NSF080120L3A0:1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET一般說明立即下載
類別:電子資料 2023-12-19 標簽:SiC MOSFET 233 0
類別:模擬數字論文 2023-11-30 標簽:直流變換器驅動電路SiC MOSFET 403 0
類別:電源技術 2018-03-13 標簽:SiC MOSFET 1515 0
SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態模型立即下載
類別:電工論文網 2018-02-01 標簽:SiC MOSFET 1005 0
SiC MOSFET產業柵極氧化層可靠性挑戰與破局之路 碳化硅(SiC)MOSFET因其高耐壓、低損耗等特性,在新能源、電動汽車等領域備受關注。然而,柵...
2025-05-27 標簽:柵極SiC MOSFET 81 0
SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統中的技術優勢與應用價值
基本半導體BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統中的技術優勢與應用價值 隨著AI數據中心對算力需求的爆發...
2025-05-23 標簽:電源系統英偉達SiC MOSFET 170 0
新品 | 采用電平位移驅動器碳化硅SiC MOSFET交錯調制圖騰柱5kW PFC評估板
新品采用電平位移驅動器碳化硅SiCMOSFET交錯調制圖騰柱5kWPFC評估板電子設備會污染電網,導致電網失真,威脅著供電系統的穩定性和效率。為此,電源...
Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET,具備卓越效率與熱穩定性
近日,Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管,SiCMOSFET),這些新產品在RDS(on)額定值方面分...
2025-05-08 標簽:NexperiaSiC MOSFET汽車 215 0
在碳化硅(SiC)技術的應用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛...
2025-04-30 標簽:英飛凌碳化硅SiC MOSFET 146 0
SiC功率模塊工商業儲能PCS的主流化與SiC單管并聯方案的運維成本劣勢
E2B碳化硅SiC功率模塊工商業儲能變流器PCS的主流化與單管并聯方案的運維成本劣勢 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(...
SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統
在高電壓和高效率應用領域,SemiQ作為一家領先的設計和開發企業,近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨...
廣東佳訊邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?
碳化硅MOSFET以其高開關速度、高溫工作能力和低導通電阻等優勢,在電動汽車、太陽能逆變器等領域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優勢,但碳...
2025-01-15 標簽:IGBTSiC MOSFET 487 0
來源:電子工程世界 SiC(碳化硅),已經成為車企的一大賣點。而在此前,有車企因是否全域采用SiC MOSFET,發生激烈輿論戰。可見,SiC這一市場在...
2025-01-09 標簽:SiC MOSFET 451 0
IFWS&SSLCHINA2024 蘇州盛大開幕,超千人齊聚探尋產業科技創新融合新思路
2024年11月19日,第十屆國際第三代半導體論壇SSLCHINA2024)在蘇州開幕。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA...
2024-11-20 標簽:半導體功率器件SiC MOSFET 822 0
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