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SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。 ...
在同樣的耐壓和電流條件下,SiC器件的漂移區電阻要比硅低200倍,即使高耐壓的SiC場效應管的導通壓降,也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且,SiC器...
襯底作為SiC芯片發展的關鍵,占據著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高,而且與產品質量密切相關。如果說前幾年很多SiC器件廠商都是靠...
肖特基二極管又稱熱載流子二極管,通過金屬和半導體觸點形成肖特基勢壘,實現整流。與普通PN結二極管相比,它的反向恢復慣性很低。因此,肖特基二極管適用于高頻...
Wolfspeed開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET
? 根據Wolfspeed的最新消息,隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產,Wolfspeed已經開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET,首批供應的產...
隨著新能源汽車的滲透率節節攀升,充電樁行業也迎來了進一步的發展和市場擴張。充電樁市場目前還遠未成熟,有著巨大的發展空間。
器件性能和成本的持續倒逼和規模化生產對裝備支撐能力不斷提出新要求, 比如要求大尺寸、高效率和高產能、低污染等。
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業的技術服務,為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域...
由于SiC具有更快的開關速度,因此對于某些拓撲結構,可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統尺寸和成本
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