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標(biāo)簽 > sic器件
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從中方宣布對原產(chǎn)于美國的所有進(jìn)口商品加征關(guān)稅看國產(chǎn)SiC器件如何取代Wolfspeed,安森美等美系碳化硅功率器
2025年4月2日,美國政府宣布對中國輸美商品征收“對等關(guān)稅”。美方做法不符合國際貿(mào)易規(guī)則,嚴(yán)重?fù)p害中方的正當(dāng)合法權(quán)益,是典型...
2025-04-27 標(biāo)簽:sic器件 157 0
在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,...
昕感科技再添戰(zhàn)略股東,6英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目今年投產(chǎn)
近日,昕感科技官宣完成京能集團(tuán)旗下北京京能能源科技并購?fù)顿Y基金戰(zhàn)略入股。
2024-05-14 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體sic器件 920 0
Wolfspeed開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET
? 根據(jù)Wolfspeed的最新消息,隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產(chǎn),Wolfspeed已經(jīng)開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET,首批供應(yīng)的產(c...
隨著電動汽車的發(fā)展,越來越多的功率半導(dǎo)體芯片被使用在汽車的各個(gè)部位實(shí)現(xiàn)不同的功能。
2023-05-30 標(biāo)簽:電動汽車半導(dǎo)體芯片sic器件 516 0
隨著新能源汽車的滲透率節(jié)節(jié)攀升,充電樁行業(yè)也迎來了進(jìn)一步的發(fā)展和市場擴(kuò)張。充電樁市場目前還遠(yuǎn)未成熟,有著巨大的發(fā)展空間。
SiC工藝特點(diǎn)核心裝備發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢
器件性能和成本的持續(xù)倒逼和規(guī)模化生產(chǎn)對裝備支撐能力不斷提出新要求, 比如要求大尺寸、高效率和高產(chǎn)能、低污染等。
關(guān)于ESS產(chǎn)品中SiC器件的應(yīng)用
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導...
安森美提供高能效、高性能SiC方案 滿足不同應(yīng)用的需求
由于SiC具有更快的開關(guān)速度,因此對于某些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本
碳化硅 (SiC) 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn),包括縮放的限制因...
隨著新型電動汽車 (EV) 的推出,汽車制造商正努力創(chuàng)造一個(gè)更可持續(xù)的未來。這些電動汽車的出現(xiàn)將見證能源的重大轉(zhuǎn)變,需要看到更強(qiáng)...
雖然硅幾乎達(dá)到了它的理論極限,但碳化硅功率器件已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了高度的可靠性和成熟度,在汽車領(lǐng)域提供了快速開關(guān)和前所未有的效率水平。本文基于P...
Marotta高級技術(shù)總監(jiān) Michael Germinario 在接受 EEWeb 采訪時(shí)強(qiáng)調(diào),PS11200 已通過所有必要的資格測試,以...
2022-07-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC電源轉(zhuǎn)換 683 0
通常情況下,少數(shù)客戶推動公司在特定市場或應(yīng)用程序中的發(fā)展。對于意法半導(dǎo)體而言,汽車和消費(fèi)電子產(chǎn)品的成功取決于兩個(gè)關(guān)鍵客...
Qorvo?推出新一代碳化硅場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今天宣布推出新一...
安森美發(fā)布全球首款To-Leadless封裝的碳化硅MOSFET
2022年5月11日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-L...
英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET,進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日,德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下,電力消耗日益增加。與此同時(shí),提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)...
如何量測SiC器件的結(jié)-殼熱阻和結(jié)溫等熱特性參數(shù)
以碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件,可在更高溫度、更高電壓、更高頻率環(huán)境下正常工作,同時(shí)功耗更小,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、....
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