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SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面?電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 標簽:半導(dǎo)體材料SiC器件Si器件 1.3萬 1
英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET,進一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日,德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下,電力消耗日益增加。與此同時,提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)...
SiC FET半導(dǎo)體器件的主要拓撲結(jié)構(gòu)和器件功能解析
隨著5G網(wǎng)絡(luò)的部署,在世界范圍內(nèi)將有大規(guī)模的擴建浪潮,并需要許多高質(zhì)量的電信整流器來提供所需的電力。為了滿足提高效率、降低運營成本和降低物料清單成本的需...
SIC器件發(fā)展助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)技術(shù)革新
自2011年-2017年,我國新能源汽車市場規(guī)模年均復(fù)合增長率高達114%。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)顯示,2017年新能源汽車產(chǎn)銷量分別為79.4萬輛和...
小鵬、比亞迪擁抱800V高壓平臺,電車普及超快充還在等什么?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)與遵循摩爾定律持續(xù)高速迭代的集成電路不同,電池技術(shù)在過去幾十年中進展緩慢。因此當前電動汽車要解決續(xù)航問題,主要有兩個發(fā)展方...
眾所周知,封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征,如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA),...
眾所周知,封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征,如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA),...
如何量測SiC器件的結(jié)-殼熱阻和結(jié)溫等熱特性參數(shù)
以碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件,可在更高溫度、更高電壓、更高頻率環(huán)境下正常工作,同時功耗更小,持久性和可靠性更強,將為下一代更小體積、...
談一下之前所說的SiC的器件使用問題,在國內(nèi)發(fā)生了一個案例,筆者做過一番采訪和調(diào)研之后做了一些整理,涉及三方(車企、零部件廠商和器件廠家),具體可以參考...
超共源共柵與硅技術(shù)和SiC MOSFET技術(shù)對比分析
新應(yīng)用不斷涌現(xiàn),這就需要有高壓開關(guān)技術(shù),而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比,該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣,從...
2020-02-24 標簽:sic器件硅技術(shù)SiC MOSFET 2563 0
碳化硅 (SiC) 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項優(yōu)勢。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn),包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...
Qorvo?推出新一代碳化硅場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (S...
實現(xiàn)SiC器件與高速電機、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配
為了追求更高的轉(zhuǎn)換效率和功率密度,在工業(yè)和新能源汽車等領(lǐng)域,系統(tǒng)設(shè)計師們逐步開始采用SiC器件替代傳統(tǒng)的、基于硅(Si)工藝的IGBT器件。
2020-03-30 標簽:CISSOID電控系統(tǒng)sic器件 1378 0
通常情況下,少數(shù)客戶推動公司在特定市場或應(yīng)用程序中的發(fā)展。對于意法半導(dǎo)體而言,汽車和消費電子產(chǎn)品的成功取決于兩個關(guān)鍵客戶:特斯拉和蘋果。 在本文中,Yo...
器件性能和成本的持續(xù)倒逼和規(guī)模化生產(chǎn)對裝備支撐能力不斷提出新要求, 比如要求大尺寸、高效率和高產(chǎn)能、低污染等。
隨著新型電動汽車 (EV) 的推出,汽車制造商正努力創(chuàng)造一個更可持續(xù)的未來。這些電動汽車的出現(xiàn)將見證能源的重大轉(zhuǎn)變,需要看到更強大的快速充電網(wǎng)絡(luò),而硅 ...
羅姆推出具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件
通過使用TO-247-4L封裝,驅(qū)動器和電流源引腳得以分離,從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。
功率器件領(lǐng)域已經(jīng)進入到Si(硅)、SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)三種半導(dǎo)體材料并用的時代。過去,人們一直利用硅的加工性能良好的特點,借助精雕 細琢的...
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