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半導(dǎo)體材料知多少?SiC器件與Si器件性能比較

SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。

2012-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC器件 Si器件 1.3萬(wàn) 1

英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性

【2022年3月31日，德國(guó)慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動(dòng)汽車(chē)等大趨勢(shì)的推動(dòng)下，電力消耗日益增加。與此同時(shí)，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)...

2022-03-31 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)英飛凌 sic器件 5251 0

SiC FET半導(dǎo)體器件的主要拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和器件功能解析

隨著5G網(wǎng)絡(luò)的部署，在世界范圍內(nèi)將有大規(guī)模的擴(kuò)建浪潮，并需要許多高質(zhì)量的電信整流器來(lái)提供所需的電力。為了滿足提高效率、降低運(yùn)營(yíng)成本和降低物料清單成本的需...

2020-02-24 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)sic器件 5149 0

SIC器件發(fā)展助力新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)技術(shù)革新

自2011年-2017年，我國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)規(guī)模年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)114%。根據(jù)中國(guó)汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，2017年新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量分別為79.4萬(wàn)輛和...

2018-04-26 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)SIC器件 3976 0

小鵬、比亞迪擁抱800V高壓平臺(tái)，電車(chē)普及超快充還在等什么？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）與遵循摩爾定律持續(xù)高速迭代的集成電路不同，電池技術(shù)在過(guò)去幾十年中進(jìn)展緩慢。因此當(dāng)前電動(dòng)汽車(chē)要解決續(xù)航問(wèn)題，主要有兩個(gè)發(fā)展方...

2021-10-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)充電樁 sic器件 3935 0

SiC器件和封裝技術(shù)的性能特征解析

眾所周知，封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征，如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA)，...

2020-02-22 標(biāo)簽：封裝技術(shù)sic器件 3746 0

SiC器件和封裝技術(shù)的發(fā)展情況分析

2020-03-09 標(biāo)簽：封裝技術(shù)sic器件 3718 0

如何量測(cè)SiC器件的結(jié)-殼熱阻和結(jié)溫等熱特性參數(shù)

以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件，可在更高溫度、更高電壓、更高頻率環(huán)境下正常工作，同時(shí)功耗更小，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、...

2021-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 sic器件 3395 0

汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)使用SiC器件有哪些常見(jiàn)問(wèn)題

談一下之前所說(shuō)的SiC的器件使用問(wèn)題，在國(guó)內(nèi)發(fā)生了一個(gè)案例，筆者做過(guò)一番采訪和調(diào)研之后做了一些整理，涉及三方（車(chē)企、零部件廠商和器件廠家），具體可以參考...

2020-10-11 標(biāo)簽：sic器件車(chē)載充電機(jī) 3093 0

超共源共柵與硅技術(shù)和SiC MOSFET技術(shù)對(duì)比分析

新應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，這就需要有高壓開(kāi)關(guān)技術(shù)，而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比，該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣，從...

2020-02-24 標(biāo)簽：sic器件硅技術(shù)SiC MOSFET 2561 0

SiC器件市場(chǎng)有望快速增長(zhǎng)

由于GaN在高頻下具有較高的功率輸出和較小的面積，GaN已被射頻行業(yè)廣泛采用。隨著5G到來(lái)，GaN在Sub-6GHz宏基站和毫米波（24GHz以上）小基...

2020-08-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻 sic器件 2527 0

碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

碳化硅（SiC）器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...

2022-08-09 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 sic器件 2015 0

5G性能爆發(fā)突破口 RF GaN蓬勃發(fā)展

RF GaAs模具市場(chǎng)將從2019年的28億美元左右增長(zhǎng)到2025年的36億美元以上。這一市場(chǎng)是由5G和Wi-Fi6手機(jī)應(yīng)用需求的增長(zhǎng)推動(dòng)的。

2021-01-04 標(biāo)簽：射頻 SiC 氮化鎵 1700 0

Qorvo?推出新一代碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）系列

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅（S...

2022-05-17 標(biāo)簽：電源管理晶體管 sic器件 1672 0

實(shí)現(xiàn)SiC器件與高速電機(jī)、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配

為了追求更高的轉(zhuǎn)換效率和功率密度，在工業(yè)和新能源汽車(chē)等領(lǐng)域，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師們逐步開(kāi)始采用SiC器件替代傳統(tǒng)的、基于硅（Si）工藝的IGBT器件。

2020-03-30 標(biāo)簽：CISSOID 電控系統(tǒng)sic器件 1377 0

ST 如何推動(dòng)特斯拉和蘋(píng)果的電動(dòng)汽車(chē)和 5G 雄心

通常情況下，少數(shù)客戶推動(dòng)公司在特定市場(chǎng)或應(yīng)用程序中的發(fā)展。對(duì)于意法半導(dǎo)體而言，汽車(chē)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的成功取決于兩個(gè)關(guān)鍵客戶：特斯拉和蘋(píng)果。在本文中，Yo...

2022-07-20 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)蘋(píng)果特斯拉 1338 0

SiC工藝特點(diǎn)核心裝備發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)

器件性能和成本的持續(xù)倒逼和規(guī)模化生產(chǎn)對(duì)裝備支撐能力不斷提出新要求，比如要求大尺寸、高效率和高產(chǎn)能、低污染等。

2023-03-07 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 sic器件 1263 0

納米技術(shù)使下一代電動(dòng)汽車(chē)充電成為可能

隨著新型電動(dòng)汽車(chē) （EV）的推出，汽車(chē)制造商正努力創(chuàng)造一個(gè)更可持續(xù)的未來(lái)。這些電動(dòng)汽車(chē)的出現(xiàn)將見(jiàn)證能源的重大轉(zhuǎn)變，需要看到更強(qiáng)大的快速充電網(wǎng)絡(luò)，而硅 ...

2022-08-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)鋰離子電池納米技術(shù) 1246 0

羅姆推出具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件

通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。

2020-08-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器碳化硅羅姆 1146 1

SiC器件：以汽車(chē)用途為突破口擴(kuò)大利用

功率器件領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)入到Si（硅）、SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）三種半導(dǎo)體材料并用的時(shí)代。過(guò)去，人們一直利用硅的加工性能良好的特點(diǎn)，借助精雕細(xì)琢的...

2015-09-11 標(biāo)簽：SiC器件 GaN器件 1137 0

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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線能量采集技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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RISC-V是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集（RISC）原則的開(kāi)源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開(kāi)源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來(lái)、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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長(zhǎng)電科技面向全球提供封裝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測(cè)、封裝到成品測(cè)試及出貨的全套專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長(zhǎng)電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場(chǎng)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周?chē)l(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷(xiāo)全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車(chē)電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱(chēng)“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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