一文了解三菱電機高壓SiC芯片技術

三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET，并將其產品化，率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你...

2024-12-18 標簽：芯片二極管MOSFET 393 0

提高SiC晶圓平整度的方法

提高SiC（碳化硅）晶圓平整度是半導體制造中的一個重要環節，以下是一些提高SiC晶圓平整度的方法： 一、測量與分析 平整度檢測：首先，使用高精度的測量...

2024-12-16 標簽：SiC碳化硅晶圓檢測 169 0

浮思特|如何通過設計SiC功率模塊優化電動汽車電機驅動熱管理效率?

提高電機驅動系統的功率密度是提升電動汽車性能的關鍵。特斯拉已經使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

2024-12-09 標簽：電動汽車SiC碳化硅 434 0

SiC功率器件的特點和優勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現代電力電子系統中的重要技術，其相較于傳統的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優勢日益顯現。Wol...

2024-12-05 標簽：晶體管功率器件SiC 255 0

非線性損耗模型：提升SiC變換器性能估算的準確性

由于硅碳化物(SiC)MOSFET器件具有高電壓能力、較低的導通電阻、高溫操作的耐受性以及相對于硅更高的功率密度等固有特性，越來越受到電力系統設計師的青...

2024-12-04 標簽：MOSFET變換器SiC 674 0

三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析

1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為...

2024-12-04 標簽：芯片MOSFET三菱電機 618 0

GaN可靠性測試新突破：廣電計量推出高壓性能評估方案

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料，憑借卓越的功率轉換效率、超快的開關速度以及出色的耐高溫性能，在5G通信、新能源汽車、數據中...

2024-11-28 標簽：SiCGaN可靠性測試 237 0

功率器件在多次循環雙脈沖測試中的應用

隨著電力電子技術的飛速發展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網等領域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動...

2024-11-26 標簽：半導體功率器件SiC 213 0

一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。

2024-11-20 標簽：MOSFETSiC加工工藝 389 0

理想的太陽能光伏逆變器如何造？

全球能源行業正處在一場持續而深刻的變革之中——即從化石燃料能源，向可再生能源的轉變。這個過程盡管曲折，但是對于大趨勢大家早已有了共識，加之近年來智能電網...

2024-11-20 標簽：太陽能逆變器SiC 738 0

深度了解SiC的晶體結構

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學計量比組成的晶體，因其內部結構堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結構及其可能...

2024-11-14 標簽：半導體晶體SiC 534 0

深度了解SiC材料的物理特性

與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解...

2024-11-14 標簽：半導體材料功率器件 582 0

一文詳解SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。

2024-11-14 標簽：晶體SiCsic器件 510 0

一文詳解SiC單晶生長技術

高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長...

2024-11-14 標簽：半導體晶體SiC 344 0

SiC單晶襯底加工技術的工藝流程

SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來...

2024-11-14 標簽：SiC工藝流程加工技術 317 0

SiC外延生長技術的生產過程及注意事項

SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一，外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積（CVD），本文簡...

2024-11-14 標簽：晶圓功率器件SiC 332 0

基于SiC模塊的電動壓縮機設計

壓縮機是汽車空調的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經冷凝器，節流閥和蒸發器換熱，實現車內外的冷熱交換。傳統燃油車以發動機為動力，通過皮帶...

2024-11-14 標簽：電動汽車MOSFET壓縮機 210 0

安森美封裝技術進階，解鎖SiC性能上限

隨著全球對可再生能源和清潔電力系統的需求不斷增長，光儲充一體化市場為實現能源的高效利用和優化配置提供了創新解決方案。在此趨勢引領下，碳化硅（SiC）產業...

2024-11-14 標簽：充電器安森美封裝技術 199 0

電隔離柵極驅動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅動器在優化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色，特別是在應對電氣化系統日益增長的需求時。隨著全球對電力...

2024-11-11 標簽：半導體安森美SiC 374 0