SiC對電力電子的挑戰 碳化硅組件的制造過程

由于SiC具有高導熱性，因此它比其他半導體材料更快地散發熱量。因此，SiC器件可以在極高的功率水平下運行，并且仍然可以散發器件產生的大量多余熱量。

2021-05-13 標簽：SiC碳化硅 2626 0

如何通過柵極驅動技術實現SiC性能的最大化

SiC和其他寬禁帶器件的基本優勢源于它們的帶隙，價帶頂部和導帶底部之間的能量差。電子從低能價帶移動到高能導帶使材料導電。

2021-02-20 標簽：電動汽車IGBT電源開關 2621 0

隔離比較器在電機驅動系統中的應用

功率半導體供應商不斷在導通損耗和開關速度上實現突破，推出更高的電流等級、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時間的半導體器件。并且隨著寬禁帶半導體器件成本降...

2022-10-14 標簽：比較器電機電機驅動 2541 0

碳化硅外延設備技術研究

與傳統半導體材料硅、鍺相比，第三代半導體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率高、高溫穩定性好以及...

2023-12-18 標簽：半導體半導體材料SiC 2526 0

不同功率的充電樁設計方案總結

電動汽車充電樁作為電動汽車的能量補給裝置，充電時間和壽命是關系到其性能的最關鍵因素。這就對充電樁的充電效率提出了要求。本文針對兩電平15KW SIC充電...

2023-10-24 標簽：電動汽車MOSFET逆變電路 2491 0

為什么在新一代雙向OBC設計中選擇SiC而非Si？

硅 (Si) 基功率器件由于其技術的成熟性和相對容易的可獲性，長期占據著電力電子行業的主導地位。然而，碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優勢能夠很好...

2023-05-20 標簽：電源太陽能逆變器 2480 0

碳化硅在新能源車中的主要應用

新能源汽車的加速性能與動力系統輸出的最大功率和最大扭矩密切相關，碳化硅（SiC）技術允許驅動電機在低轉速時承受更大輸入功率，且不怕電流過大導致的熱效應和...

2023-06-27 標簽：新能源汽車驅動器SiC 2477 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢

設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的器件。與電子開關使用的傳統硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術具有...

2023-10-12 標簽：SiC氮化鎵電子開關 2424 1

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現出巨大的應用前景，其中金屬-氧化物-場效應晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 標簽：MOSFET光伏晶體管 2399 0

下一代高壓SiC MOSFET的可靠性和穩健性測試

在當今這一代，電力電子設備幾乎在從交流適配器到傳輸系統的各個領域都有應用。這些器件包含硅 (Si) 作為低壓和高壓器件的主要元素。然而，隨著半導體行業的...

2022-07-29 標簽：MOSFETSiC碳化硅 2395 0

8英寸SiC晶體生長熱場的設計與優化

碳化硅（SiC）材料被認為已經徹底改變了電力電子行業。其寬帶隙、高溫穩定性和高導熱性等特性將為SiC基功率器件帶來一系列優勢。近年來，隨著新能源汽車企業...

2023-12-20 標簽：半導體功率器件SiC 2394 0

寬帶隙半導體GaN、ZnO和SiC的濕法化學腐蝕

寬帶隙半導體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...

2022-07-06 標簽：半導體SiC蝕刻 2387 0

碳化硅在下一代工業電機驅動器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產品。雖然有各種重要的機會使用這項技術，但工業電機驅動正獲得最大的興趣和關注。

2021-07-04 標簽：SiC電機驅動器碳化硅 2380 0

用于三相功率轉換的橋式拓撲的SiC MOSFET

效率、生產力和立法是當今電力應用的主要市場驅動力。利用更少的能源生產更多的產品，節約能源成本，更加關注更好的轉換效率和更小、更輕的系統。 在這方面，功率...

2024-04-29 標簽：三相功率轉換SiC 2378 0

SiC基DNPC轉換器器件電壓不平衡問題分析與解決

SiC、GaN MOSFET等寬帶隙器件的進步，給電力電子領域帶來了一場革命。這些器件具有快速開關、高電荷密度和高效設計的優點。它們在高功率應用中非常有...

2022-08-04 標簽：轉換器MOSFETSiC 2378 0