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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC基微型核電池研究進(jìn)展

隨著微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的迅速發(fā)展，體積更小，功能更多，集成度更高的MEMS器件已經(jīng)成為新的發(fā)展方向和研究熱點(diǎn)。

2023-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體機(jī)器人 SiC 1195 0

功率半導(dǎo)體在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用

光伏逆變器按技術(shù)路線及功率水平可分為集中式、組串式和微型逆變器等。

2023-08-10 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 逆變器 1839 0

功率器件的材料演進(jìn)之路

如今，我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中，功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。

2023-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 470 0

高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場強(qiáng)等優(yōu)勢，是國際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電阻器 854 0

GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動器 SiC 氮化鎵 1073 0

變頻器的分類和發(fā)展趨勢

變頻器的分類方法有多種，按照主電路工作方式分類，可以分為電壓型變頻器和電流型變頻器；按照開關(guān)方式分類，可以分為PAM控制變頻器、PWM控制變頻器和高載頻...

2023-08-09 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)變頻器運(yùn)動控制 1672 0

為什么不用SiC來做IGBT？未來是否會大規(guī)模的使用SiC來做IGBT呢？

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。

2023-08-08 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動電路 SiC 1317 0

什么是半導(dǎo)體材料？半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。

2023-08-07 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料 SiC 3835 0

SiC MOSFET的設(shè)計和制造

首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 標(biāo)簽：芯片 MOSFET 晶圓 1852 0

SiC外延片測試需要哪些分析

對于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現(xiàn)反映外延層...

2023-08-05 標(biāo)簽：測試儀 SiC 紅外光譜 2075 0

碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？

SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。主流制造襯底的方式首先以物理氣相升...

2023-08-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1110 0

碳化硅二極管與硅相比的八大優(yōu)勢

寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢。

2023-08-04 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體晶體管 1368 0

SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎？

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

2023-08-03 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 473 0

SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路的優(yōu)化方案

在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫...

2023-08-03 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源驅(qū)動電路 1446 0

800V電驅(qū)動系統(tǒng)解讀

由于電池仍然是電驅(qū)動系統(tǒng)的最主要成本構(gòu)成，因此以最高效的方式使用電池提供的能量是很重要的，從電能到機(jī)械能的轉(zhuǎn)換效率即電驅(qū)動系統(tǒng)效率就顯得及其重要。

2023-08-01 標(biāo)簽：電動機(jī)逆變器驅(qū)動系統(tǒng) 1249 0

碳化硅（SiC）芯片設(shè)計的一些關(guān)鍵考慮因素

芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。

2023-08-01 標(biāo)簽：MOSFET 芯片設(shè)計 SiC 1269 0

高效氮化鎵電源設(shè)計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計中實(shí)現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...

2023-08-01 標(biāo)簽：電源整流器德州儀器 2188 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖...

2023-07-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2882 0

電子設(shè)備越來越多地接入電網(wǎng)，這增加了電網(wǎng)的失真幾率，也使配電網(wǎng)絡(luò)容易產(chǎn)生問題。為緩解這些問題，電源設(shè)計需要先進(jìn)的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路來滿足嚴(yán)格...

2023-08-02 標(biāo)簽：功率因數(shù)PFC SiC 2374 0

碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因

在額定電壓相同的情況下，SiC二極管占用的空間比Si更小。

2023-07-26 標(biāo)簽：二極管 emi SiC 639 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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