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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅的主要特性是什么？為什么碳化硅在高頻下的性能優于IGBT？

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如何化解第三代半導體的應用痛點

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碳化硅技術如何賦能離線式開關模式電源

碳化硅（SiC）技術推動多種應用和功率系統的設計創新。與硅（Si）相比，SiC 憑借更快的開關速度、在溫度范圍內平穩的導通電阻 RDS(on) 和更優的...

2023-05-20 標簽：電源 smps SiC 1385 0

DPC陶瓷基板及其關鍵技術

良好的器件散熱依賴于優化的散熱結構設計、封裝材料選擇（熱界面材料與散熱基板）及封裝制造工藝等。

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功率半導體的發展階段碳化硅功率器件的三大優勢

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2023-10-31 標簽：半導體晶閘管功率器件 1377 0

評估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩健性

由于其極低的開關損耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉換器的效率提供了廣闊的前景。然而，在確定這些設備是否是實際電源轉換應用的實...

2022-08-09 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1374 0

模塊輸出的有效電流和母線電壓以及開關頻率的關系

這是某大廠的1200V SiC模塊，雖然規格書上只寫了標稱電流IDN=400V

2023-11-15 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 1373 0

中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

國際半導體IDM廠商，如意法半導體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國市場仍然占據碳化硅元件的重要地位。消息人士補充，外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...

2024-03-14 標簽：SiC 碳化硅射頻器件 1373 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結構比較！

碳化硅（SiC）技術改進了各種應用中的多個系統和子系統組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現...

2023-02-24 標簽：晶體管 SiC GaN 1364 0

SiC MOSFET模塊串擾應用對策

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VE-Trac SiC如何讓主驅逆變器變得更強

雙碳目標正加速推進汽車向電動化發展，半導體技術的創新助力汽車從燃油車過渡到電動車，新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優勢將改變電動車的未來，如在關鍵...

2022-09-20 標簽：安森美逆變器 SiC 1358 0

如何在中試線上生產一片8英寸碳化硅襯底？

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如今，許多市場都受益于碳化硅（SiC）技術所帶來的優勢，尤其是汽車行業。相對于傳統硅（Si）組件，SiC 的性能更高，使系統的開關速度、工作溫度、功率密...

2023-05-20 標簽：傳感器控制器 SiC 1350 0

為什么不用SiC來做IGBT？未來是否會大規模的使用SiC來做IGBT呢？

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。

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隨著全球對電動汽車接納度的逐漸提高，碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機遇。預計，將來功率半導體的生產商和汽車行業的運作商會更積極地參與到這...

2024-04-30 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1338 0

皮秒激光器優化碳化硅劃刻

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光伏發電是SiC器件除新能源汽車領域外的第二大應用領域。光伏逆變器作為光伏電站的轉換設備，主要作用是將太陽電池組件產生的直流電轉化為交流電。隨著光伏產業...

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