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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始,將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
減小了電場集中效應,提高了SiC器件的擊穿電壓,SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關單元有關,同時和耐壓環也有很大的關系。
交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉換器的快速發展。高開關頻率和高溫操作是實現這一目標的兩個關鍵因素。
到20世紀中葉,電力已然在人們的生活中發揮著重要作用。愛迪生發明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅,提高了生產力、生活質量和安全性;通過高效電機實現的制冷,...
碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產業(包括太陽的,燙的和風力)、EV/HEV動力系統,以及電動火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。
淺談第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的設備的效率與安全余量
-進入主題之前請您介紹了很多基礎內容,下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”,首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎...
為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管
圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
碳化硅因其獨特的性能而被譽為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性,以及它在電力電子設備中的應用。
【泰克電源設計與測試】致工程師系列之四:寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優化驗證
選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅動信號的上升時間為依據,儀器系統對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素:帶寬、電壓范圍(共模和差模)、CMRR和連接。
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負電壓浪涌對策
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負電壓浪涌,來防止SiC MOSFET的LS導通時,SiC MOSFET的HS誤...
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