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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅(SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統,SiC MOSFET就能為許多行業的許多不同應用提供高效率,包括那些必須在惡劣環境下...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負電壓浪涌對策
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負電壓浪涌,來防止SiC MOSFET的LS導通時,SiC MOSFET的HS誤...
碳化硅(SiC)是一種陶瓷材料,出于半導體應用的目的,通常以單晶形式生長。其固有的材料特性,加上作為單晶生長,使其成為市場上最耐用的半導體材料之一。這種...
【泰克電源設計與測試】致工程師系列之四:寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優化驗證
選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅動信號的上升時間為依據,儀器系統對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素:帶寬、電壓范圍(共模和差模)、CMRR和連接。
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項
關于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產生的浪涌,在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET:橋式結構中柵極...
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優異的性能著稱,是一種用途廣泛的材料。
功率系統中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數自動測試與計算新方案
柵極參數設計是通過理論計算或建模仿真,模擬器件的開關狀態,掌握其動態特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計算。
作為“二十世紀最重要的新四大發明”之一,半導體的重要性不言而喻。從電子產品到航空航天,從人工智能到生物醫學,半導體無處不在,深刻地塑造著我們生活的方方面面。
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