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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展
連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡(jiǎn)稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代,歷經(jīng)近40年的發(fā)展,陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料,許多國(guó)外機(jī)構(gòu)已具備了...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁...
在功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如,在談?wù)摴β拭芏葧r(shí),GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...
SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。
與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比,GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強(qiáng)等特...
本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理,并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...
聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本,因此市場(chǎng)需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...
2023-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiC碳化硅 426 0
我們中許多擁有電動(dòng)汽車的人不得不考慮充電問題 — 重點(diǎn)在于節(jié)約能源,所以微電網(wǎng)從當(dāng)?shù)乜稍偕茉粗蝎@取電能絕對(duì)符合時(shí)代精神。電動(dòng)車電池是一種大型充電負(fù)載,...
2023-05-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC可再生能源 972 0
基于國(guó)產(chǎn)單晶襯底的150mm 4H-SiC同質(zhì)外延技術(shù)進(jìn)展
本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過在玻璃晶圓 上使用雙面布線工藝,實(shí)現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接...
SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)
SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公...
在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)控制器中,逆變控制器是實(shí)現(xiàn)能量交直流轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵部件,用于電機(jī)的驅(qū)動(dòng)或制動(dòng)時(shí)的能量回收或是提供交流電源。市場(chǎng)對(duì)于逆變控制器的能量傳輸效率、功...
2023-05-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車控制器晶體管 2001 0
許多電力工程師都知道如何使用其手工原型獲得可行的成果,但在生產(chǎn)環(huán)境中,我們需要更好地控制腳端彎曲。否則,可能會(huì)引起數(shù)不盡的問題。本博客文章討論了獲得可靠...
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作...
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能?
隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。由于 EV 的...
2023-05-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美IGBT 8642 0
碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
所有類型的電動(dòng)汽車(EV)的高功率、高電壓要求,包括電動(dòng)公交車和其他電子交通電源系統(tǒng),需要更高的碳化硅(SiC)技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高...
2023-05-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTSiC 2576 0
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