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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優異的電氣性能, 新特性給其結溫評估帶來了新挑 戰, 許多適用于 Si 器件的結溫評估方法可能不再適用于 Si...
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導體,日本和海外正在進行研究和開發。
碳化硅SIC MOSFET替代傳統MOSFET及IGBT的優點
碳化硅MOS優點:高頻高效,高耐壓,高可靠性。可以實現節能降耗,小體積,低重量,高功率密度。
未來幾年將看到電子設備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產品和半導體滲透到新的行業和產品,設計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
減小了電場集中效應,提高了SiC器件的擊穿電壓,SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關單元有關,同時和耐壓環也有很大的關系。
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG,使得器件在零柵壓下為關斷狀態。當正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導電溝道,器件呈導通狀態。
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對齊,并與晶圓上的電路進行物...
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