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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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溝槽結構SiC MOSFET常見的類型

SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。

2023-04-01 標簽：MOSFET JFET SiC 1993 0

用于高功率密度應用的碳化硅功率器件

交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉換器的快速發展。高開關頻率和高溫操作是實現這一目標的兩個關鍵因素。

2023-03-30 標簽：轉換器 MOSFET SiC 1197 0

SiC和GaN的共源共柵解決方案

GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數以億計的此類設備，其中許多每天運行數小時，因此節省的能源將是巨大的。

2023-03-29 標簽：電動汽車 led 逆變器 529 0

脈沖測試一定要做探頭的延時校準

雙脈沖試驗的主要目的是獲得功率半導體的開關特性，可以說是伴隨著從R&D到應用功率器件的整個生命周期。基于雙脈沖試驗獲得的設備開關波形可以做很多事...

2023-03-28 標簽：示波器延時 SiC 1646 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而飽受關注。

2023-03-28 標簽：IGBT SiC 氮化鎵 2905 0

如何確保SiC驗證測試準確度？

SiC正在應用于功率更高、電壓更高的設計中，如電動汽車(EV)電機驅動器、電動汽車快速充電樁、車載及非車載充電器、風能及太陽能逆變器及工控電源。

2023-03-27 標簽：傳感器測試示波器 1524 0

有趣的材料—無處不在的碳化硅

電子器件的使用環境逐漸惡劣，航空航天、石油探測領域前景廣闊，在熱導率、擊穿場等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導體材...

2023-03-24 標簽：電子器件 SiC 碳化硅 1602 0

擴展到900V的氮化鎵產品滿足汽車、家電及工業類應用需求

日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術培訓經理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應用...

2023-03-24 標簽：功率開關 PD SiC 941 0

三相三電平PFC電路中SiC二極管的選擇

母線電容過壓時，軟件及時判斷并進行關脈沖處理，除此之外，母線電容上還需要并聯TVS，才能在軟件保護無效時，通過TVS保護母線電容。

2023-03-23 標簽：二極管 TVS SiC 1527 0

利用C2000實時MCU提高GaN數字電源設計實用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換...

2023-03-20 標簽：電源轉換器晶體管 856 0

AMB陶瓷基板在IGBT中應用的優勢

AMB（活性金屬釬焊）工藝技術是DBC（直接覆銅）工藝技術的進一步發展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現銅箔與陶瓷基片間的焊接。

2023-03-17 標簽：逆變器 IGBT 功率器件 3511 0

對Si3N4-AMB覆銅基板較為關心的三大方面

隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。

2023-03-16 標簽：PVD SiC 功率模塊 2986 0

隔離比較器在電機系統中的應用

電機在工業領域具有廣泛的應用，而電機驅動系統的趨勢是高效率，高功率密度和高可靠性。功率半導體供應商不斷在導通損耗和開關速度上實現突破，推出更高的電流等級...

2023-03-16 標簽：驅動器半導體電機 638 0

特斯拉如何減少75%的碳化硅的使用？

在特斯拉投資者大會上，特斯拉表示下一代汽車平臺的動力總成中將減少75%的碳化硅使用。

2023-03-14 標簽：微控制器電動汽車 SiC 1595 0

意法半導體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產品，第四代產品目前還沒有推出。溝槽型是發展方向，但意法半導體要到2025年才開始推出。

2023-03-14 標簽：MOSFET 特斯拉 SiC 2276 0

使用HRPWM的注意事項

隨著新能源領域的發展, 在數字電源控制系統中要求功率密度高且轉換效率高。其中,整機功率密度的提升，就需要提高開關頻率, 大部分現有產品的開關頻率在50k...

2023-03-14 標簽：電源 SiC GaN 1926 0

溝槽就是戰壕：英飛凌碳化硅CoolSiC?

戰爭在戰壕中決出勝負，而溝槽就是我們的前線戰壕。也就是說，前線奮戰人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應用的設計工程師，本文的讀者就...

2023-03-13 標簽：英飛凌二極管 MOSFET 9394 0

SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機理和應用領域

SiC 晶體中不同類型的位錯通常是根據腐蝕坑的形貌和尺寸來完成定量分析的。如圖 7（a）所示，大六邊形沒有底部的腐蝕坑代表 MP，中六邊形有底部的腐蝕...

2023-03-10 標簽：SiC 碳化硅 5052 0

為什么選擇SiC作為下一個雙向板載充電器設計呢？

硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導著電力電子行業，因為它們的技術成熟度和相對容易獲得。

2023-03-07 標簽：MOSFET 驅動器充電器 845 0

二極管的特性及損耗分析

本文用于記錄二極管特性及損耗分析。

2023-03-08 標簽：二極管 SiC 損耗 1.0萬 0

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