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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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探討正電壓浪涌的對策和其效果

下圖顯示了同步升壓電路中LS導通時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（II），即HS（非開關側）的VGS的正浪涌，正如在上一...

2023-02-28 標簽：MOSFET SiC 功率元器件 265 0

針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策

只是由于SiC MOSFET的跨導比Si MOSFET的跨導小一個數量級以上，因此不會立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流，也具有足夠的冷卻能...

2023-02-28 標簽：二極管 MOSFET SiC 280 0

低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作

下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導通時的做法一樣，為各事件進行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導通時相比，只是...

2023-02-28 標簽：MOSFET 等效電路 SiC 449 0

低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作

當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動，受下述等效電路圖中所示的事...

2023-02-28 標簽：MOSFET SiC 電動勢 523 0

橋式電路的開關產生的電流和電壓

下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結構的同步式boost電路，LS開關導通時的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和L...

2023-02-27 標簽：MOSFET SiC 1083 0

SiC MOSFET的橋式結構及柵極驅動電路

下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交...

2023-02-27 標簽：二極管 MOSFET SiC 1315 0

專用柵極驅動器和緩沖模塊的效果

這里會針對下述條件與電路結構，使用緩沖電容器與專用柵極驅動器進行特性對比。在電路構成中，有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅動器時，...

2023-02-27 標簽：電容器 MOSFET SiC 405 0

柵極誤導通的處理方法

使用評估電路來確認柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅動電路示例，柵極驅動L為負電壓驅動。CN1和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源...

2023-02-27 標簽：電源驅動器 SiC 1037 0

如何充分發揮全SiC功率模塊的優異性能

首先需要了解的是：接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息...

2023-02-27 標簽：MOSFET IGBT SiC 400 0

SiC開發板主要電路分析以及SiC Mosfet開關速率測試

羅姆這回提供的電路非常豐富，按由主及次的評測思路，我們需要對電路結構有所了解才能合理設計電路實驗，特整理了電路分析的內容。

2023-02-27 標簽：MOSFET SiC 開發板 1442 0

SiC開發板搭建簡易Buck電路拓撲

今天主要對評估板進行了Buck拓撲的實現，通過評估板半橋的結構，搭建Buck降壓電路。

2023-02-27 標簽：BUCK 降壓電路 SiC 975 0

一文讀懂全球碳化硅先驅GeneSiC

憑借領先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產品組合，納微半導體以雙擎驅動的姿態在電力電子能源轉換領域高歌前進。

2023-02-27 標簽：MOSFET SiC 氮化鎵 422 0

全SiC功率模塊的開關損耗

全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。

2023-02-24 標簽：MOSFET IGBT SiC 777 0

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了...

2023-02-24 標簽：MOSFET IGBT SiC 598 0

SiC-MOSFET的可靠性

ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發和元器件結構優化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性。

2023-02-24 標簽：二極管 MOSFET SiC 1116 0

SiC-MOSFET的應用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處...

2023-02-24 標簽：轉換器 MOSFET SiC 714 0

溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品

在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

2023-02-24 標簽：MOSFET SiC Rohm 681 0

SiC-MOSFET的體二極管的特性

如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結構上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結形成的，也被...

2023-02-24 標簽：二極管 MOSFET SiC 3517 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結構比較！

碳化硅（SiC）技術改進了各種應用中的多個系統和子系統組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現...

2023-02-24 標簽：晶體管 SiC GaN 1322 0

SIC肖特基二極管BM09K80N3用于便攜式電源

在享受露營帶來快樂的同時，對于便攜式戶外電源的穩定性、安全性以及兼容性的用電標準必不可少的安全考察

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