SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

IGBT的低Vd（或低Id）范圍（在本例中是Vd到1V左右的范圍），在IGBT中是可忽略不計(jì)的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會(huì)構(gòu)成問(wèn)題，但當(dāng)用電設(shè)備的電...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 1060 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 1177 0

功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充說(shuō)明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET晶體管SiC 817 0

SiC-MOSFET的特征

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過(guò)，如低損耗、高速...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET元器件SiC 361 0

使用SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)

SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型...

2023-02-23 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體SiC 863 0

使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和DC-DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)1200 V SiC電源模塊

電動(dòng)汽車、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電力開(kāi)發(fā)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案的有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件以及用于打開(kāi)和關(guān)閉這些半導(dǎo)體的策略，這...

2023-02-22 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器SiC 1633 0

SiC-SBD和SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推...

2023-02-22 標(biāo)簽：二極管晶體管SiC 689 0

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無(wú)限接近零、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND...

2023-02-22 標(biāo)簽：二極管元器件SiC 265 0

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來(lái)比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且...

2023-02-22 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體SiC 400 0

SiC-SBD特征以及與Si二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始。

2023-02-22 標(biāo)簽：二極管元器件SiC 989 0

SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件...

2023-02-22 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器元器件SiC 582 0

何謂碳化硅

表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍(lán)色部分是用于功率元器件時(shí)的重要參數(shù)。如數(shù)值所示，SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢(shì)。另外，與其他新材料不同，它的一大特征是...

2023-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC功率元器件 2959 0

用更多選擇回應(yīng)積極的反饋

為了提供這種靈活性，UnitedSiC 提供了額外的第 4 代 750V SiC FET，導(dǎo)通電阻為 23、33 和 44 毫歐，以及 6、9 和 11...

2023-02-21 標(biāo)簽：FETSiC計(jì)算器 197 0

最大限度降低SiC FET的EMI的開(kāi)關(guān)損耗

對(duì)高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的需求增加，使得碳化硅 （SiC） FET 因其快速開(kāi)關(guān)速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS（開(kāi)啟）和高壓額定值。

2023-02-21 標(biāo)簽：MOSFETemiSiC 804 0

SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度變化

比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗...

2023-02-21 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1114 0