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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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更高的效率,省電池,省電費 碳化硅控制器具有更高的能量轉換效率,在不同的應用工況下可使能耗降低3%~6% -同樣的電池容量,增加續航里程 -同樣的...
更多SiC FET選項意味著經濟高效的解決方案具有更大的靈活性
生活中的一切都是平衡行為,這可能會使決定變得困難。如果涉及金錢,它會帶來另一個維度——如果我購買電動汽車,額外的成本會得到回報嗎?在什么時間?減少二氧化...
使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
公司在IGBT的技術基礎上不斷發展以SiC和主的寬禁帶功率半導體器件關鍵技術。斯達作為國內車規級SiC模塊的重要供應商,車規級SiC模塊已獲得了國內外多...
當 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如,6 毫歐器件顯示兩個 R 的強度幾乎減半DS?品質因數和體二極...
使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例 小結
此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”,本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設計案例中有兩個關鍵要點。一個...
使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例-PCB板布局示例
截至上一篇文章,結束了部件選型相關的內容,本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結。使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的PCB布局示例
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態銅厚膜導電層,且具有高熱導率和低熱膨脹系數,從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設備和工藝技術水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質逐步提高,碳化硅在...
來幾年將看到電子設備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產品和半導體滲透到新的行業和產品,設計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
淺談第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的設備的效率與安全余量
-進入主題之前請您介紹了很多基礎內容,下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”,首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎...
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