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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

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2023-02-10 標簽：開關 MOSFET IGBT 1889 0

第三代SiC肖特基勢壘二極管SCS3系列介紹

ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱"SiC-SBD"）產品。ROHM的每...

2023-02-10 標簽：二極管電壓 SiC 500 0

實現大電流化的技術要點

轉換器，開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。

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1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D1...

2023-02-10 標簽：電源模塊 SiC 1051 0

高耐壓超級結MOSFET的種類與特征

上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSF...

2023-02-10 標簽：MOSFET IGBT SiC 1967 0

BD9S系列: 配置Power Good功能的車載ADAS用超小型降壓DC/DC轉換器（2）

ROHM最近面向ADAS（高級駕駛輔助系統）的傳感器、攝像頭及雷達等要求小型化、節能化和高可靠性的汽車安全駕駛輔助模塊，開發出二次降壓DC/DC轉換器“...

2023-02-09 標簽：轉換器 MOSFET SiC 695 0

高可靠性1700V全SiC功率模塊BSM250D17P2E004介紹

ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...

2023-02-09 標簽：MOSFET 功率 SiC 873 0

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應用開發而成的溝槽柵極結構SiC MOSFE...

2023-02-09 標簽：MOSFET 封裝柵極 2141 0

SiC MOSFET柵-源電壓測量：探頭頭部的安裝位置

關鍵要點?除了測量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內，就會受到磁通量變化的影響，而體現在觀測波形上。

2023-02-09 標簽：電流 MOSFET 探頭 530 0

SiC MOSFET柵-源電壓測量位置的選擇

本文的關鍵要點?在某些位置測量波形時，觀測到的波形可能與實際波形不同。?理想的做法是測量位置要應盡可能地靠近DUT，最好在引腳根部。

2023-02-09 標簽：MOSFET 電壓 SiC 414 0

SiC MOSFET柵-源電壓測量：探頭的連接方法

本文的關鍵要點?探頭的連接方法會給波形測量結果帶來很大影響。?如果延長線較長，在柵極引腳和源極引腳與測量夾具之間形成的環路會導致觀察到的波形與真正的波形...

2023-02-09 標簽：MOSFET 探頭 SiC 898 0

SiC MOSFET柵-源電壓測量方法

本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時，觀察到的波形會發生明顯變化。?受測量時所裝的延長電纜的影響，觀察...

2023-02-09 標簽：MOSFET SiC 電壓測量 1049 0

低邊SiC MOSFET關斷時的行為

通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳...

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本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC M...

2023-02-09 標簽：MOSFET 驅動器 SiC 500 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項

關于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產生的浪涌，在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極...

2023-02-09 標簽：MOSFET 電路板 SiC 1166 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負電壓浪涌對策

本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤...

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SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對策

本文的關鍵要點：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導通時的HS誤導通。如果柵極驅動IC沒有驅動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則...

2023-02-09 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1086 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路

在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。

2023-02-09 標簽：MOSFET SiC 浪涌 1235 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產生的浪涌？

MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。

2023-02-08 標簽：MOSFET IGBT 源極 556 0

SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關關斷時的柵極-源極間電壓的動作

上一篇文章中介紹了LS開關導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續介紹LS關斷時的動作情況。低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示L...

2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 691 0

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