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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

新型隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何提高和增強(qiáng)系統(tǒng)電流測量精度

最新的隔離式調(diào)制器通過優(yōu)化內(nèi)部模擬設(shè)計(jì)和使用最新斬波技術(shù)來改善失調(diào)和增益誤差相關(guān)的性能，這極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并減少了校準(zhǔn)時(shí)間。最新ADuM770x器件...

2024-03-07 標(biāo)簽：adc SiC 調(diào)制器 694 0

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓功率設(shè)計(jì)選擇FET和SiC變得輕而易舉

該工具可以立即計(jì)算出整體效率、動(dòng)態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平；甚至可以指定并聯(lián)器件、多個(gè)轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱片性能，以便預(yù)測結(jié)溫。

2022-10-11 標(biāo)簽：FET 肖特基二極管 SiC 693 0

SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 SBD SiC 693 0

用碳化硅(SiC)重新思考軟開關(guān)效率

從理論上講，碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關(guān)注該...

2024-06-19 標(biāo)簽：電阻 MOSFET SiC 692 0

AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SC12xFP2-LBZ介紹

內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－優(yōu)點(diǎn)篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC...

2023-02-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 封裝 689 0

SiC-SBD和SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推...

2023-02-22 標(biāo)簽：二極管晶體管 SiC 689 0

碳化硅發(fā)展生逢其時(shí)

*文末有禮碳化硅（SiC) 正在改變?nèi)祟惸茉纯刂坪娃D(zhuǎn)換的方式，帶來一場顛覆性變革。電動(dòng)汽車、可再生能源、儲(chǔ)能和不間斷電源等許多應(yīng)用都能通過SiC實(shí)現(xiàn)性...

2024-03-04 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 688 0

集成的專業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案

氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無可爭議的技術(shù)，例如 X 波段（8–12 GHz）的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...

2023-05-20 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 687 0

硅基氮化鎵技術(shù)到底有啥優(yōu)勢？

具體而言，SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用，比如工業(yè)領(lǐng)域。對(duì)于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應(yīng)用，例如 IGB...

2023-02-10 標(biāo)簽：IGBT SiC GaN 687 0

大電流應(yīng)用中SiC MOSFET模塊的應(yīng)用

在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊

2023-01-03 標(biāo)簽：MOSFET SiC 685 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極-源極間電壓的動(dòng)作

上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示L...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 SiC 683 0

BD9S系列: 配置Power Good功能的車載ADAS用超小型降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器（2）

ROHM最近面向ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）的傳感器、攝像頭及雷達(dá)等要求小型化、節(jié)能化和高可靠性的汽車安全駕駛輔助模塊，開發(fā)出二次降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器“...

2023-02-09 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 683 0

SiC二極管價(jià)格很卷？這家公司找到對(duì)策

最近，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，通用電氣研究所（GE Research）發(fā)布文獻(xiàn)稱，他們已經(jīng)制造出擊穿電壓為3.8kV 的SiC超結(jié)JBS器件，其導(dǎo)通電阻僅...

2023-09-18 標(biāo)簽：二極管 SiC 電荷 682 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

2023-02-24 標(biāo)簽：MOSFET SiC Rohm 681 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。

2023-01-17 標(biāo)簽：封裝封裝技術(shù)功率器件 666 1

通過轉(zhuǎn)移到SiC技術(shù)來獲得暖通空調(diào)更佳的SEER等級(jí)

由于能源價(jià)格在過去12個(gè)月中大幅攀升，無論是企業(yè)還是消費(fèi)者都開始感到巨大壓力。在歐洲，2020年至 2021期間，天然氣價(jià)格上漲了47%。

2023-07-08 標(biāo)簽：空調(diào)Mouser SiC 665 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作

上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOS...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 SiC 664 0

Power Box Board幫助學(xué)生更好地了解Si和SiC技術(shù)

我們知道，技術(shù)教育不僅需要理論知識(shí)，還需要實(shí)踐知識(shí)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，讓學(xué)生在電路層面理解更深層次的概念。2實(shí)驗(yàn)室實(shí)際上可以幫助學(xué)生理解電路設(shè)計(jì)概念等主題。Po...

2022-07-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 Power SiC 662 0

SiCMOSFET和IGBT在短路時(shí)的對(duì)比

基于溝道的硅碳功率金氧半場效應(yīng)晶體管（MOSFETs）為電力轉(zhuǎn)換開關(guān)設(shè)備的性能優(yōu)化系數(shù)（FOM）帶來了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯，提高了多種應(yīng)用的效...

2023-12-01 標(biāo)簽：MOSFET FOM SiC 661 0

IGBT和SiC封裝用的環(huán)氧材料

IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關(guān)重要的作用。以下是從多個(gè)角度對(duì)這些環(huán)氧材料的詳細(xì)分析：1.熱管理導(dǎo)熱性能：環(huán)氧樹脂需要具...

2024-10-18 標(biāo)簽：封裝 IGBT SiC 661 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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UCD3138

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”

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