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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

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2023-12-07 標(biāo)簽:二極管SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路 658 0

SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里

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在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...

2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 658 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

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SiC的歷史可以追溯到1891年,由愛(ài)德華·古德里奇·艾奇遜(Edward Goodrich Acheson)在嘗試合成人造金剛石的過(guò)程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體SiC 658 0

英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)

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所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù),并已取代了平面技術(shù),那么碳化硅呢?就碳化硅而言,溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢(shì)方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...

2024-05-16 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET功率器件 656 0

新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造技術(shù)

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  柵極電壓。上升過(guò)程,P阱中電子流向溝道,空穴流出P阱,在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時(shí),P阱瞬態(tài)電位上升,等效閾值電壓升高;   漏極電壓下...

2023-10-08 標(biāo)簽:新能源汽車電阻功率器件 654 0

基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法

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摘要:碳化硅(SiC)功率模塊在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產(chǎn)效率,本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅...

2024-10-16 標(biāo)簽:封裝SiC功率模塊 653 0

使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-PCB板布局示例

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截至上一篇文章,結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容,本文將對(duì)此前介紹過(guò)的PCB電路板布局示例進(jìn)行總結(jié)。使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例

2023-02-17 標(biāo)簽:PCBMOSFETSiC 653 0

SiC SBD的高耐壓(反壓)特性

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2023-12-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SBDSiC 652 0

在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)

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使用電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試結(jié)果,按照油耗測(cè)試方法WTLC進(jìn)行了模擬行駛仿真,確認(rèn)了第4代SiC MOSFET對(duì)電耗的改善效果。

2024-04-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器PFC 652 0

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。

2024-03-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換功率器件SiC 648 0

碳化硅二極管優(yōu)勢(shì)有哪些?

碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì)   1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性   寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽:功率器件SiC寬禁帶 648 0

安森美應(yīng)用于UPS的SiC方案

隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)不間斷電源(UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展,設(shè)計(jì)人員面臨...

2022-07-12 標(biāo)簽:UPSSiC碳化硅 648 0

隔離比較器在電機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用

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電機(jī)在工業(yè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的趨勢(shì)是高效率,高功率密度和高可靠性。功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級(jí)...

2023-03-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體電機(jī) 638 0

碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因

在額定電壓相同的情況下,SiC二極管占用的空間比Si更小。

2023-07-26 標(biāo)簽:二極管emiSiC 638 0

三菱電機(jī)成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

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三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月1日)宣布,其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu),并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF80...

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超寬帶隙(UWBG)半導(dǎo)體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中,氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領(lǐng)域的...

2024-06-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC電力器件 636 0

一文了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)

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三菱電機(jī)開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET,并將其產(chǎn)品化,率先將其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)鐵路車輛的變流器中,是一家在市場(chǎng)上擁有良好業(yè)績(jī)記錄的SiC器件制造商。本篇帶你...

2024-12-18 標(biāo)簽:芯片二極管MOSFET 636 0

碳化硅在電動(dòng)汽車的應(yīng)用

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汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動(dòng)汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)到45年,電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷量的...

2023-09-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 635 0

氮化鎵技術(shù)壁壘是什么,氮化鎵優(yōu)異特性介紹

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達(dá)摩院指出,近年來(lái)第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn),正在打開應(yīng)用市場(chǎng):SiC元件已用作汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。

2023-02-07 標(biāo)簽:逆變器SiC氮化鎵 634 0

如何降低碳化硅Sic牽引逆變器的功率損耗和散熱

特別是對(duì)于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗(包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量)降至最低。

2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 632 0

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