國內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢

碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測試四個(gè)部分，分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...

2022-12-28 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 365 0

高效SiC功率器件的演進(jìn)

純SiC晶體是通過Lely升華技術(shù)生長的。晶體主要是6H-SiC，但包括其它多型體。1978年，Tairov和Tsvetkov發(fā)明了一種可復(fù)制的SiC晶...

2022-12-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車混合動(dòng)力汽車晶體管 1041 0

8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備與表征

使用物理氣相傳輸法（PVT）制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標(biāo)準(zhǔn) 8 英寸 SiC 單...

2022-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶SiC 2739 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

一旦硅開始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 1.2萬 0

氮化鎵的優(yōu)勢特點(diǎn)！

傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 2859 0

功率晶體管的歷史和新興設(shè)計(jì)

到20世紀(jì)中葉，電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛迪生發(fā)明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅，提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過高效電機(jī)實(shí)現(xiàn)的制冷，...

2022-12-08 標(biāo)簽：MOSFET晶體管SiC 1212 0

橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動(dòng)作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

2022-12-05 標(biāo)簽：MOSFETSiCVDS 1119 0

碳化硅功率器件及其發(fā)展現(xiàn)狀！

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

2022-12-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1414 0

碳化硅功率器件市場前景！

在過去幾年中，半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān)，并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅（SiC）的器件有望顯著降低開關(guān)損耗，并允許比目前使用純硅（Si）器件更高的...

2022-11-29 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 390 0

當(dāng)前碳化硅功率器件回顧！

硅功率器件已經(jīng)達(dá)到了它們的材料極限，已經(jīng)達(dá)到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟，為汽車行業(yè)提供快速開關(guān)、高效的器件性能。然而，它們距離充分發(fā)揮...

2022-11-28 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 597 0

宇宙輻射對(duì)OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評(píng)估

汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對(duì)大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計(jì)人員把目光投向...

2022-11-25 標(biāo)簽：輻射SiCDCDC 778 0

IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)（一）

大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。

2022-11-25 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1554 0

SiC推動(dòng)實(shí)現(xiàn)可再生的未來

隨著世界朝著更加綠色的可持續(xù)未來邁進(jìn)，許多國家/地區(qū)正在減少化石燃料能源發(fā)電，轉(zhuǎn)而使用可再生能源。

2022-11-24 標(biāo)簽：逆變器太陽能光伏SiC 744 0

碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用！

電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...

2022-11-23 標(biāo)簽：IGBT功率器件SiC 1023 0

SiC功率器件和模塊！

SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強(qiáng)（擊穿場）和帶隙...

2022-11-22 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1830 0

碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特性！

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢，包括10倍的擊穿電場強(qiáng)度，3倍的帶隙，以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2022-11-21 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1648 0

碳化硅技術(shù)在電源逆變器上的應(yīng)用！

碳化硅(SiC)是化合物半導(dǎo)體材料之一，具有獨(dú)特的材料性能。例如，它具有高電擊穿強(qiáng)度(硅的十倍)和導(dǎo)熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...

2022-11-17 標(biāo)簽：SiC電源逆變器碳化硅 2607 0