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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基,SiC MOSFET 主打高壓領域;GaN MOSFET 主打高頻領域。
在功率器件半導體領域,越來越需要高頻高功率耐高溫的功率器件,隨著時間發展,硅材料在功率器件領域已經達到了材料性能的極限,碳化硅憑借其材料的優越特性開始大放異彩
UnitedSiC FET-Jet計算器讓功率設計選擇FET和SiC變得輕而易舉
該工具可以立即計算出整體效率、動態和導通導致的組件功耗以及電流應力水平;甚至可以指定并聯器件、多個轉換器“支路”和外部散熱片性能,以便預測結溫。
新能源車的功率控制單元(PCU)是汽車電驅系統的中樞神經,管理電池中的電能與電機之間的流向、傳遞速度。傳統 PCU 使用硅基材料半導體制成,強電流與高壓...
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車續航能力
因續航能力有限而導致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉換過程的效率是延長車輛續航能力以緩解這種焦慮的關鍵。能效至關...
我們都知道,IGBT發生短路時,需要在10us或者更短的時間內關閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數來進行調節,如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
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