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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅（SiC）在大口徑光學反射鏡上的應用，主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應等特性，成為空間觀測、深空探測等領域的核心材料。以下是關鍵應用...
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術已經發(fā)布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低，提供 650 V 和 ...
SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實現(xiàn)高功率密度設計，有效應對關鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來越受到電力電子領域的青睞。與硅 (Si...
基于國產PWM控制器和SiC MOSFET的反激輔助電源設計
傾佳電子楊茜提供基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產BTP2843DR與B2M600170H的1000V直流輸入反激輔...
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術...
引言 碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導體材料，因其卓越的物理和化學性質，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而，在SiC外...
引言 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其出色的物理和化學特性，在功率電子、高頻通信及高溫環(huán)境等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而，在SiC外延生長過...
引言 在半導體材料領域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學特性，如高硬度、高熱導率、高擊穿電場強度等，成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而，在...
引言 碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其出色的物理和化學性質，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域具有廣泛的應用前景。然而，在SiC晶片的...
碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型功率半導體器件，因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能，在電力電子領域得到了廣泛應用。然而，SiCMOSFET在研...
SiC外延設備的復雜性主要體現(xiàn)在反應室設計、加熱系統(tǒng)和旋轉系統(tǒng)等關鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā)，嚴重影響外...
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內的器件，這相當于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務的高電壓、高電流和快速開關系統(tǒng)的性質帶來了...
三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內部結構，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件...
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件...
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網等領域得到廣泛應用。...
碳化硅（SiC）功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術至.....
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其出色的物理和化學特性，如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩(wěn)定性，在半導體產業(yè)中得到了廣泛的應用。SiC襯底是...
在全球氣候變化日益嚴峻的背景下，節(jié)能減排已成為國際社會共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺政策，推動能源結構轉型和低碳經濟發(fā)展，旨在實現(xiàn)《巴黎協(xié)...
遠山半導體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...
隨著DC/DC電源轉換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機驅動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應用對功率密度的需求日益提高，系統(tǒng)的工作溫度也隨之增...
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