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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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長距離電動汽車應(yīng)用中 SiC 功率器件的有效實(shí)現(xiàn)
內(nèi)燃機(jī) (IC)、EV 和 HEV 等所有汽車對動力子系統(tǒng)的需求一直呈指數(shù)級增長,以支持高級輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)、電動車窗、車門和后視鏡、內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)...
SiC和GaN功率半導(dǎo)體在混合動力和電動汽車的主傳動系逆變器中的應(yīng)用
SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管(晶體管、開關(guān)管)。SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增,帶來體積...
瞻芯電子比鄰驅(qū)動系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片介紹
比鄰驅(qū)動(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片,具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
Si3N4為何要用AMB工藝?AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹
功率電子器件在電力存儲,電力輸送,電動汽車,電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。
SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫
在現(xiàn)實(shí)世界中,沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快...
2018-10-30 標(biāo)簽:天線DC-DC轉(zhuǎn)換器SiC 6438 0
采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率,還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點(diǎn)。
2023-09-27 標(biāo)簽:SiC電磁感應(yīng)硅晶片 6341 0
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場上最受歡...
推出電動汽車(EV)的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點(diǎn)和不同點(diǎn)在于電動汽車遠(yuǎn)程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍:目前,在所有駕駛...
通過RECOM的DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動的SiC技術(shù)
在許多人的頭腦中,電力電子與可再生能源及電動力緊密關(guān)聯(lián) 換言之:數(shù)百伏的電壓以及中等到高功率范圍的功率輸出。樂高 盒式模塊化電源(即 DC/DC 轉(zhuǎn)換器...
2018-06-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiCDC/DC轉(zhuǎn)換器 5948 0
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù),指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小,與平面柵相比,溝槽柵MOSFET...
SiC MOSFET的實(shí)時結(jié)溫監(jiān)控電路測量方案
本文介紹了一種新穎的測量電路,以測量用于測量SiC MOSFET的實(shí)時或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出,出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 5760 0
三菱電機(jī)開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)洌话愕拇蠊β蕬?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行,需要考慮模塊自...
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場及應(yīng)用分析
SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動車逆變器等驅(qū)動系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對于Si器件的優(yōu)勢之處在于,降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐高溫。
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2:短路保護(hù)—軟關(guān)斷
想象一個場景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)...
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