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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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如何通過實時可變柵極驅動強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率
在本文中,我們將重點介紹實時可變柵極驅動強度的技術優勢,這項新功能可讓設計人員優化系統參數,例如效率(影響電動汽車行駛里程)和 SiC 過沖(影響可靠性)。
GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基,SiC MOSFET 主打高壓領域;GaN MOSFET 主打高頻領域。
PiN二極管(P-I-N Diode)和SiC二極管(Silicon Carbide Diode)在多個方面存在顯著差異,這些差異主要體現在材料特性、工...
憑借領先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產品組合,納微半導體以雙擎驅動的姿態在電力電子能源轉換領域高歌前進。
電隔離式(GI)柵極驅動器在優化碳化硅(SiC)MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色,特別是在應對電氣化系統日益增長的需求時。隨著全球對電力在工業、...
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