氧化鎵器件，高壓電力電子的未來之星

超寬帶隙(UWBG)半導體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現出其在高壓電力電子領域的...

2024-06-18 標簽：半導體SiC電力器件 585 0

并行連接的SiC MOSFET可以帶來更多電力

功率器件(如開關、電阻和MOSFET)的并聯連接旨在分擔功率，使設備能夠承受更大的功率。它們可以并聯連接，以增加輸出電流的容量。由于不受熱不穩定性的影響...

2024-06-03 標簽：電流MOSFETSiC 797 0

碳化硅(SiC)功率器件的開關性能比較

過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉換器中的高功率密度和高效率而備受關注。制造商們已經開始采用碳化硅技術來開發基于各種半導體器件的功率模塊，如...

2024-05-30 標簽：功率器件SiC碳化硅 721 0

SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

首先，計算開通和關斷時間內消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...

2024-05-29 標簽：MOSFET導通電阻SiC 1268 0

碳化硅襯底片比較重要的參數有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數。確保襯底的晶格常數與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應力。

2024-05-19 標簽：半導體SiC碳化硅 892 0

SiC MOSFET實現高頻大功率變換——固態變壓器應用案例剖析

在傳統的配電網結構中，工頻變壓器是實現電能分配和電壓等級變換的主要電氣設備。工頻變壓器的主要組成部件為鐵芯和繞組，常采用油浸式或者干式，具有可靠性高，效...

2024-05-17 標簽：變壓器MOSFETSiC 2086 0

英飛凌CoolSiC? MOSFET G2，助力下一代高性能電源系統

所有現代硅功率器件都基于溝槽技術，并已取代了平面技術，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設計在性能優勢方面與Si功率MOSFET技術的發展有許多相似之處。...

2024-05-16 標簽：英飛凌MOSFET功率器件 613 0

使用Simcenter全面評估SiC 器件的特性——Simcenter為熱瞬態測試和功率循環提供全面支持

內容摘要傳統的硅金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)具有成熟的技術和低廉的成本，在中壓和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)高壓功率電子器件中占主導...

2024-05-07 標簽：測試半導體SiC 714 0

仿真微調：提高電力電子電路的精度

作者：James Victory，安森美電源方案事業群 TD 建模和仿真方案研究員 在電力電子和電路仿真領域，精度至關重要。仿真結果的真實性取決于各個器...

2024-04-30 標簽：仿真SiC模型 1767 0

碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發與行業展望

隨著全球對電動汽車接納度的逐漸提高，碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機遇。預計，將來功率半導體的生產商和汽車行業的運作商會更積極地參與到這...

2024-04-30 標簽：電動汽車功率器件SiC 1226 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發揮越來越重要的作用。與傳統硅(Si)設備相比，它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標簽：功率器件SiCGaN 1201 0

功率系統中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數自動測試與計算新方案

柵極參數設計是通過理論計算或建模仿真，模擬器件的開關狀態，掌握其動態特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等，其核心還是理論計算。

2024-04-29 標簽：MOSFETIGBTemc 1039 0

用于三相功率轉換的橋式拓撲的SiC MOSFET

效率、生產力和立法是當今電力應用的主要市場驅動力。利用更少的能源生產更多的產品，節約能源成本，更加關注更好的轉換效率和更小、更輕的系統。 在這方面，功率...

2024-04-29 標簽：三相功率轉換SiC 2344 0

碳化硅功率器件：高效能源轉換的未來

在現代電子行業，隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應用的增多，傳統的硅（Si）基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

2024-04-29 標簽：電動汽車功率器件SiC 688 0

一種軟件可配置的SiC MOSFET門驅動方法

SiC技術已廣泛應用于電動汽車、工業、可再生能源/電網和其他應用的中壓和高壓應用中。為了充分發揮其優勢，系統開發人員必須首先抵消其更快的開關速度帶來的不...

2024-04-28 標簽：MOSFET驅動SiC 395 0

嵌入式PCB封裝

不同的熱膨脹系數 （CTE） 會產生應力并導致故障。嵌入到 AlN（周圍有銅層）等陶瓷基板上可以提供與SiC更好的 CTE 匹配，同時還可以創建所需的隔...

2024-05-03 標簽：嵌入式逆變器SiC 693 0

了解嵌入式驅動器中的電源模塊

在 IP65 保護系統中，所有組件的耗散功率只能通過其表面（主要是散熱器）排出。因此，嵌入式系統中使用的逆變器的設計必須限度地減少功耗，并使用良好的熱界...

2024-05-03 標簽：嵌入式系統逆變器SiC 310 0