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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC器件的工作原理與主要優勢！

在追求能源效率和對高性能電力電子系統的需求不斷增長的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩定性，正在變革傳統功率電子技術。

2024-04-18 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1095 0

在EV中使用第4代SiC MOSFET：裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗

使用電機試驗臺的測試結果，按照油耗測試方法WTLC進行了模擬行駛仿真，確認了第4代SiC MOSFET對電耗的改善效果。

2024-04-17 標簽：MOSFET 逆變器 PFC 616 0

SiC MOSFET短路失效的兩種典型現象

短路引起的 SiC MOSFET 電學參數的退化受到了電、熱、機械等多種應力的作用，其退化機理需要從外延結構、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進行論證分析。

2024-04-17 標簽：MOSFET 變頻器電機驅動 2061 0

碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

隨著全球對更高效、更可持續能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領域的一個重要進展。

2024-04-15 標簽：導通電阻功率器件 SiC 707 0

深入探討碳化硅功率器件優勢、應用

碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更優越的物理和化學特性，包括更高的臨界擊穿場強、更大的熱導率、更高的工作溫度和更快的開關速度。

2024-04-12 標簽：變壓器電感器功率器件 523 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應用

碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，相比于傳統的硅材料，具有更高的熱導率、更大的電場擊穿強度和更高的載流子遷移率等特點。

2024-04-10 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1349 0

深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（M...

2024-04-10 標簽：MOSFET 場效應晶體管 SiC 1438 0

碳化硅功率器件的應用優勢

碳化硅具有比硅更高的熱導率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應用中表現優異。

2024-04-09 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 316 0

全面的SiC功率器件行業概覽

SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規模預計將持續擴大。根據Yole Group的報告，汽車行業對SiC功...

2024-04-07 標簽：新能源汽車晶圓功率器件 797 0

如何增強SiC功率器件的性能與可靠性？

電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。

2024-04-07 標簽：電動汽車半導體功率器件 711 0

碳化硅功率器件：能效革新的催化劑！

隨著全球對能效和環保的要求日益提高，傳統硅基半導體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應用場景中。

2024-04-02 標簽：半導體逆變器功率器件 539 0

深度解析碳化硅功率器件原理和優勢

SiC市場格局仍由海外巨頭主導，市占率排名依次是：意法半導體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機等。

2024-04-01 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2924 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩定的半導體特性。

2024-03-26 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 372 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...

2024-03-26 標簽：SiC 晶片光刻機 933 0

安森美發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。

2024-03-26 標簽：電動汽車 MOSFET 安森美 1613 0

碳化硅功率器件：革新未來能源與電力電子技術的關鍵材料

隨著全球對高效能源的不斷追求和電子技術的快速發展，傳統的硅基功率器件已逐漸達到其性能邊界。

2024-03-21 標簽：電動汽車功率器件 SiC 553 0

淺析功率半導體IGBT及SiC技術的相關知識

電力電子技術在新能源汽車中應用廣泛，是汽車動力總成系統高效、快速、穩定、安全能量變換的基礎。

2024-03-21 標簽：新能源汽車 IGBT 電機控制器 2033 0

碳化硅MOS、超結MOS與IGBT性能比較

Si-MOSFET根據制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導致導通電阻增加的問題。

2024-03-19 標簽：二極管 IGBT MOS 6060 0

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料，與傳統的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。

2024-03-19 標簽：功率轉換功率器件 SiC 602 0

SiC驅動電源設計要點（變壓器部分）

在設計SiC（碳化硅）驅動電源時，需要考慮以下幾個關鍵要點：

2024-03-18 標簽：IGBT SiC 驅動電源 1724 0

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