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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC器件如何提升電動汽車的系統效率

SiC器件可以提高電動汽車的充電模塊性能，包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動汽車的整體性能表現。

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深入探索研究SiC功率器件高效互連技術

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中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

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2024-03-14 標簽：SiC 碳化硅射頻器件 1267 0

Infineon碳化硅布局加速，晶圓廠投資引發市場疑慮

雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風一向非常低調。就連Infineon的收購行動也常常被低調處理。

2024-03-14 標簽：SiC Infineon 碳化硅 243 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優勢、應用場景

碳化硅功率器件利用SiC半導體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導率，以及更高的臨界擊穿電場強度。

2024-03-14 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 478 0

水下航行器電機的SiC MOSFET逆變器設計

利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。

2024-03-13 標簽：MOSFET 逆變器 IGBT 337 0

SiC MOSFET非放電型RCD緩沖電路的設計

與放電型RCD緩沖電路不同，非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量，因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴大RSNB的選擇范圍，使得能...

2024-03-13 標簽：MOSFET emi SiC 576 0

同軸分流器在SiC和GaN器件中的測量應用

隨著現代電力電子的高速發展，SiC/GaN 功率器件的應用越來越廣泛，工程師經常要測量頻率高達數百 kHz，電流高達數十安培的功率電路。

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如何實現高功率密度三相全橋SiC功率模塊設計與開發呢？

為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相全橋 SiC 功率模塊設計與開發，...

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基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅逆變器即將大規模“上車”

在當今全球汽車工業駛向電動化的滾滾浪潮中，一項關鍵技術正以其顛覆性的性能改變著電動汽車整體市場競爭力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅逆變器。

2024-03-13 標簽：新能源汽車 MOSFET 逆變器 1619 0

柵極環路電感對IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響簡析

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-12 標簽：驅動器電磁兼容 IGBT 1059 0

碳化硅（SiC）功率器件核心優勢及技術挑戰

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2024-03-08 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1383 0

一文解析SiC功率器件互連技術

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標簽：MOSFET 功率器件互連技術 1407 0

新型隔離式Σ-Δ調制器如何提高和增強系統電流測量精度

最新的隔離式調制器通過優化內部模擬設計和使用最新斬波技術來改善失調和增益誤差相關的性能，這極大地簡化了系統設計并減少了校準時間。最新ADuM770x器件...

2024-03-07 標簽：adc SiC 調制器 664 0

SiC功率器件先進互連工藝研究

共讀好書杜隆純何勇劉洪偉劉曉鵬（湖南國芯半導體科技有限公司湖南省功率半導體創新中心）摘要：針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，...

2024-03-05 標簽：功率器件 SiC AMB 533 0

淺談SiC晶體材料的主流生長技術

在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。

2024-03-04 標簽：晶體 SiC 碳化硅 730 0

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碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優良特性，可以在更...

2024-02-29 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1636 0

淺析碳化硅功率器件：原理、應用與未來發展前景

隨著能源效率和環保要求的日益提高，電力電子系統正在向著更高效、更緊湊的方向發展。

2024-02-28 標簽：晶體管硅二極管功率器件 918 0

基于SiC MOSFET的儲能變流器功率單元設計方法

摘要：隨著儲能變流器向大容量、模塊化發展，碳化硅（SiC）器件由于其低損耗、耐高溫的特性，逐漸成為研究熱點。然而SiC器件過高的開關速度使其對電路中雜散...

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內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC助推工廠智能化

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