碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 4524 1

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

SiC MOSFET并聯(lián)的動(dòng)態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快，對(duì)一些并聯(lián)參數(shù)會(huì)更為敏感。

2021-09-06 標(biāo)簽：英飛凌pcbMOSFET 4489 0

碳化硅和硅的優(yōu)勢(shì)對(duì)比

寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。

2023-10-30 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體SiC 4458 0

一文解析SiC MOSFET短路特性及技術(shù)優(yōu)化

電流互感器也是一種較為常見的電流檢測(cè)方法， 使用時(shí)使流過負(fù)載電流的導(dǎo)線或走線穿過電流互感器， 進(jìn)而在電流互感器輸出端輸出與負(fù)載電流成一定比例的感應(yīng)電流。

2023-10-31 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4318 0

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導(dǎo)通電阻構(gòu)成

兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOS...

2023-06-25 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管SiC 4307 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測(cè)試中遇到的串?dāng)_問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時(shí)間），較低的損耗，更高的開關(guān)頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應(yīng)地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標(biāo)簽：二極管IGBTSiC 4293 0

聊聊英飛凌的汽車模塊HybridPACK

新能源汽車的發(fā)展蒸蒸日上，對(duì)于半導(dǎo)體器件的要求，不僅僅是功率半導(dǎo)體都提出了更好的需求。作為功率半導(dǎo)體行業(yè)No.1的英飛凌也給我們呈現(xiàn)了多樣性的發(fā)展態(tài)勢(shì)，...

2023-09-15 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體SiC 4233 0

碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。

2023-06-28 標(biāo)簽：新能源汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 4209 0

SiC MOS器件柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)

除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多的話題。我們將堅(jiān)固性定義為器件承受特定的特殊壓力事件的能力，例如，短路能力或脈沖電流處理能力。

2022-06-30 標(biāo)簽：SiCFitSiC功率器件 4093 0

SiC材料及器件介紹

SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

2023-09-28 標(biāo)簽：晶圓場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管 4084 0

什么是半導(dǎo)體材料？半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。

2023-08-07 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料SiC 4048 0

半導(dǎo)體切割-研磨-拋光工藝簡介

SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內(nèi)圓和外圓兩種。由于SiC價(jià)格高，外圓、內(nèi)圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產(chǎn)效率低，加大了襯底的成本。

2023-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)SiCCMP 4008 0

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽得太多了。

2023-06-12 標(biāo)簽：充電器SiC氮化鎵 3970 0

淺談SiC MOSFET芯片的短路能力

SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時(shí)間（SCWT：shor...

2023-12-13 標(biāo)簽：芯片MOSFETIGBT 3947 0

什么是外延工藝？什么是單晶與多晶？哪些地方會(huì)涉及到外延工藝？

外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 3946 0