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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
車載充電機(jī)OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案
車載充電機(jī)(On-Board Charger,簡稱為OBC)的基本功能是:電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口,連接至車載充電機(jī),給車載動力電池進(jìn)行慢...
使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多,但驅(qū)動電壓到底選15V還是18V,每個人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動技術(shù),有些感悟分享給大家。
碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
如何將SiC庫導(dǎo)入LTspice并對其進(jìn)行仿真
碳化硅 (SiC)是一種越來越重要的半導(dǎo)體材料:用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫,這些組件現(xiàn)在在...
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會指出,他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...
統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫擴(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點。一般來說,高溫擴(kuò)散工藝簡單,設(shè)備便宜,摻雜分布輪廓為等向性,且高溫擴(kuò)散工...
在IGBT時代,門極電壓的選擇比較統(tǒng)一,無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域,還未...
2022-06-06 標(biāo)簽:電壓SiC開關(guān)頻率 3064 0
連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展
連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代,歷經(jīng)近40年的發(fā)展,陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料,許多國外機(jī)構(gòu)已具備了...
隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高,器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。
表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍(lán)色部分是用于功率元器件時的重要參數(shù)。如數(shù)值所示,SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢。另外,與其他新材料不同,它的一大特征是...
帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga,“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
通訊電源是服務(wù)器,基站通訊的能源庫,為各種傳 輸設(shè)備提供電能,保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行,通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小,但它是整個通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵...
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