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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。

2023-02-02 標簽：芯片半導(dǎo)體材料 SiC 2.7萬 0

為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動芯片,需要考慮幾個方面?

SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...

2018-06-15 標簽：MOSFET SiC 驅(qū)動芯片 2.6萬 0

詳解電力電子領(lǐng)域碳化硅(SiC)的熱行為

碳化硅(SiC)在功率電子學(xué)中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術(shù)具有眾多優(yōu)勢。它結(jié)合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導(dǎo)率。得益于這些特性，SiC器件相比于同等...

2024-07-19 標簽：SiC 碳化硅功率電子 2.4萬 0

SiC材料到底有多大的作用？

億緯鋰能采取多元化品類并存路線，包括鋰原電池、復(fù)合電源、消費類鋰離子電池及動力/儲能電源系統(tǒng)等。在動力方面的主要產(chǎn)品類型包括：圓柱三元(18650/21...

2018-06-22 標簽：SiC 2.0萬 0

淺談特斯拉TPAK（Tesla Pack）封裝那些事

從一開始的TO-247封裝的IGBT單管并聯(lián)，到單管電流等級需求優(yōu)化的TO-247Plus封裝的IGBT并聯(lián)，到如今的TPAK封裝，可以說將單管并聯(lián)方式...

2023-09-20 標簽：IGBT 特斯拉 SiC 1.8萬 0

碳化硅介紹：三種SiC襯底制作方法對比

碳化硅的禁帶寬度是硅的2-3倍，在高溫下電子不易發(fā)生躍遷，可耐受更高的工作溫度，且碳化硅的熱導(dǎo)率是硅的4-5倍，使得器件散熱更容易，極限工作溫度更高。耐...

2023-07-07 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.6萬 0

SiC的電力電子器件的主要優(yōu)勢

? 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機（ICE）汽車到電動汽車（EV）的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動下，預(yù)計到45年，電動汽車將達到新車總銷...

2023-09-18 標簽：電流逆變器電力電子器件 1.6萬 0

碳化硅用途主要有哪些方面

碳化硅的應(yīng)用越來越廣泛，而現(xiàn)在科技市場的大力發(fā)展，碳化硅的功勞也是不容小覷，碳化硅在工業(yè)方面的應(yīng)用可以說是比較廣泛、經(jīng)濟的一種，那么碳化硅用途主要有哪些...

2023-02-05 標簽：SiC 碳化硅 1.5萬 0

詳解硅片的研磨、拋光和清洗技術(shù)

在半導(dǎo)體和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度變薄，以及拋光以使表面成為鏡面。在半導(dǎo)體器件的制造中，半導(dǎo)體制造工藝包括:（1）從晶體生長開始切割和拋光...

2022-04-20 標簽：SiC 硅片清洗 1.5萬 0

何謂全SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模...

2018-05-17 標簽：SiC 功率模塊 1.4萬 0

Si、SiC和GaN這三種材料共存，到底該如何選擇

碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導(dǎo)體材料，它已經(jīng)廣泛用于制造開關(guān)器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導(dǎo)體的潛力，...

2020-04-30 標簽：英飛凌半導(dǎo)體 sic 1.2萬 1

半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 1.2萬 0

三菱電機SiC功率模塊的發(fā)展里程碑

2015年4月，Bodo’s Power上報道了三菱電機1款800 A/1200 V的全SiC 2in1模塊（FMF800DX-24A）[3]。為了有效...

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基于SiC技術(shù)的碳化硅襯底提升LED的發(fā)光度

大多數(shù)現(xiàn)代LED由氮化銦鎵（InGaN）和藍寶石襯底組成。該架構(gòu)運行良好，并使LED制造商能夠提供效率超過150流明/瓦的產(chǎn)品。然而，該架構(gòu)確實存在一些...

2019-01-17 標簽：led 半導(dǎo)體 sic 1.2萬 0

25 kW SiC直流快充設(shè)計指南：DC-DC級的設(shè)計考慮因素和仿真

作者：安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec ? 在“開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁” [1-3] ...

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碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

一旦硅開始達不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...

2022-12-13 標簽：晶體管 SiC 氮化鎵 1.1萬 0

SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景

本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。

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牽引逆變器：汽車創(chuàng)新與性能的相互交融

踩下電動汽車 (EV) 的踏板，即可獲得快速、平穩(wěn)的加速。對此感到非常滿足？當然不。您大可不必如此，因為新型電動汽車將擁有更高的性能和更長的續(xù)航里程。...

2023-02-08 標簽：電動汽車逆變器電機 1.1萬 0

SiC性能在實際應(yīng)用中已經(jīng)超過GaN

作者：United Silicon Carbide公司新產(chǎn)品導(dǎo)入經(jīng)理Zhongda Li 寬帶隙器件的承諾諸如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶...

2018-02-28 標簽：場效應(yīng)晶體管 SiC GaN 1.1萬 1

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.0萬 0

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