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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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盤點國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅概念股有哪些？碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些？國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點分析：英飛凌以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdS...

2018-12-06 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體功率器件 13.9萬 0

富昌電子SiC設(shè)計分享（二）：碳化硅器件驅(qū)動設(shè)計之寄生導(dǎo)通問題探討

作者：富昌電子星空 ??校稿：富昌電子蕭峰 ? 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方...

2022-06-16 標(biāo)簽：富昌電子 SiC 驅(qū)動設(shè)計 10.9萬 0

Power Master 半導(dǎo)體推出第二代 1200V eSiC MOSFET

PowerMasterSemiconductor推出了第二代1200VeSiCMOSFET，以滿足直流電動汽車充電站、太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)、...

2024-07-17 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 4.4萬 0

三種碳化硅的主要制備方法

目前碳化硅單晶的制備方法主要有：物理氣相傳輸法（PVT）；頂部籽晶溶液生長法（TSSG）；高溫化學(xué)氣相沉積法（HT-CVD）。其中TSSG法生長晶體尺寸...

2020-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3.6萬 0

什么是SiC？

SiC材料的能帶和高溫穩(wěn)定性使得它在高溫半導(dǎo)體元件方面有無可比擬的優(yōu)勢。採用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作溫度...

2012-09-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 3.1萬 0

一文了解碳化硅和氮化鎵

上世紀(jì)五十年代以來，以硅（Si）材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了集成電路（IC）為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。然而，由于硅材料的帶隙較...

2021-03-01 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 SiC 2.4萬 0

聚焦光伏發(fā)電和充電樁英飛凌碳化硅功率器件開發(fā)和應(yīng)用引領(lǐng)同儕

“半導(dǎo)體功率器件的未來主流將是碳化硅器件，SiC應(yīng)用不會完全取代IGBT，只是在一些高精尖領(lǐng)域應(yīng)用，有非常大的優(yōu)勢代替IGBT。” 英飛凌科技（中國）有...

2018-05-21 標(biāo)簽：英飛凌功率器件 SiC 2.4萬 0

第三代半導(dǎo)體概念及發(fā)展歷程

前言：【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)鏈，理清上、中、下游的各個環(huán)節(jié)，同時迅速了解各大細分環(huán)...

2022-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 2.2萬 0

8英寸SiC投產(chǎn)進展加速，2025年上量

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體近日宣布，計劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括SiC和GaN。與此同時，安世半導(dǎo)體的第一...

2024-07-01 標(biāo)簽：功率器件 SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 2.1萬 0

三大半導(dǎo)體廠商Q3營收曝光！

三安光電表示，第三季度隨著市場行情的逐步好轉(zhuǎn)，公司LED芯片銷售量較上年同期增加，雖部分芯片售價環(huán)比有所回升，但整體售價較上年同期有較大幅度下降。另外，...

2023-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 LED芯片 SiC 2.1萬 0

50kW/L功率密度，3.3美元/kW成本的電機實現(xiàn)難點是什么？

U.S. DRIVE給電機和電控的發(fā)展定了一個目標(biāo)，那就是到2025年時，電機控制器的效率不能低于98%；功率密度要達到100kW/L；成本要降到2.7...

2019-10-29 標(biāo)簽：新能源汽車電機 SiC 1.9萬 0

最新SiC器件與Si IGBT的性能比較

直到最近，功率模塊市場仍被硅（Si）絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）把持。需求的轉(zhuǎn)移和對更高性能的關(guān)注，使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用，這就帶來了 S...

2019-11-08 標(biāo)簽：逆變器晶體管 sic 1.8萬 0

泰科天潤成為資本、市場、媒體追逐的一匹“黑馬”

中國碳化硅（SiC）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，致力于中國半導(dǎo)體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費者提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品和專業(yè)服務(wù)。

2018-04-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 1.8萬 0

格力20億入股三安光電，再次加大芯片投入！

格力11月11日晚發(fā)布公告，擬以自有資金20億元認(rèn)購三安光電非公開發(fā)行的股份，三安光電此次非公開發(fā)行A股股票，擬募集資金總額不超過70億元，先導(dǎo)高芯擬認(rèn)...

2019-11-12 標(biāo)簽：格力 SiC 三安光電 1.8萬 0

一文了解碳化硅(SiC)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及生長技術(shù)

SiC 是一種二元化合物，其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?，這個間距如何理解呢？目前市面上最牛逼的光刻機光刻精度3nm，就是30?的距離，光刻...

2024-01-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.7萬 0

為何一個小改變就可以讓電源的整體系統(tǒng)效率提升至98%？

任何電子產(chǎn)品都離不開電源，隨著各個國家和地區(qū)能源標(biāo)準(zhǔn)的提升和用戶環(huán)保意識的增強，對電源效率的要求越來越高。產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的公司和工程師們?yōu)榱颂嵘娫葱?，減少...

2020-05-02 標(biāo)簽：英飛凌數(shù)據(jù)中心 SiC 1.7萬 0

第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）行業(yè)研究報告：市場空間、未來展望、產(chǎn)業(yè)鏈深度梳理

近年來，隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時限制體積、發(fā)熱和成本的快速...

2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體檢測 SiC 1.6萬 0

碳化硅與硅相比有何優(yōu)勢？

文章來源：電子技術(shù)設(shè)計作者：廖均電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場主流，但SiC與GaN器...

2020-10-16 標(biāo)簽：電動汽車電源 SiC 1.6萬 0

2024年SiC的市場規(guī)模將達19.3億美元，英飛凌擴展SiC MOSFET產(chǎn)品線

根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場報告，2018年SiC的市場規(guī)模約為4.2億美元，該機構(gòu)預(yù)計SiC市場的年復(fù)合增長率為29%，也就是說到2024年...

2020-04-03 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 1.6萬 0

慕展上，世強帶來的SiC、GaN、三電平讓你的效率直達最high點

2018年，世強元件電商在慕尼黑上海電子展上帶來了汽車、工業(yè)控制及自動化、物聯(lián)網(wǎng)、測試測量等九大分區(qū)的最新元件產(chǎn)品及解決方案。

2018-03-29 標(biāo)簽：sic gan 電源管理芯片 1.5萬 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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