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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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國產SiC MOS又添新軍，性能媲美國際大廠

據介紹，他們的新一代產品是基于6英寸晶圓平臺進行開發，主要有4款新產品（K3M040120-R、K3M040120-R4、K3M080120-R以及K3...

2023-08-28 標簽：MOSFET SiC 半導體器件 3731 0

年復合增長率達32.6%！車載SiC和工業GaN前景暢旺，產業鏈廠商進展如何

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2024-04-10 標簽：ST 功率器件 SiC 3727 0

2027年功率半導體市場超越100億美元

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8英寸布局加速，襯底單位成本三年時間幾乎減半

前言：【核芯觀察】是電子發燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產業架構，理清上、中、下游的各個環節，同時迅速了解各大細分...

2022-04-16 標簽：半導體電子產業 SiC 3695 0

功率半導體觀察：SiC和GaN飛速發展的時代

　“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉換器等功率電子產品的展會。在市場要求降低耗電、減輕環境負荷等背景下，該展會的規模逐年擴大，2013年共...

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碳化硅為第三代半導體材料，引領功率及射頻領域革新

SiC MOSFET 較 IGBT 可同時具備耐高壓、低損耗和高頻三大優勢。1）碳化硅擊穿電場強度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。

2022-08-23 標簽：半導體材料 SiC 碳化硅 3681 0

GaN Power HEMT > 650 V：與 SiC MOSFET 的參數分析和比較

在過去幾年中，SiC MOSFET 在高壓 (600V) 和大功率應用中占據主導地位。熱導率、高臨界場、大大提高的開關效率以及在其表面形成二氧化硅的能力...

2022-07-30 標簽：半導體設計 SiC 3665 0

SiC半導體發展的下一步是什么

本文展望了SiC下一步需要做什么，將在哪里應用以及如何成為功率半導體的主導力量。

2020-04-02 標簽：半導體 SiC 3663 0

浙江省首個第三代半導體項目設計年產能將達8萬片

2018年，中電化合物半導體項目落戶在杭州灣新區。目前，該項目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進入客戶認證階段。預計最快明年便能實現量...

2020-11-20 標簽：半導體 SiC 碳化硅 3635 0

GaN射頻技術將如何發展

以5G為代表的Sub 6G通信射頻系統非常復雜，尤其是那些需要使用高載波頻率和寬頻帶的新技術，包括載波聚合、Massive MIMO等。為此，很多半導體...

2020-10-26 標簽：射頻 SiC GaN 3610 0

SiC熱潮來襲!科銳投資10億美元擴產SiC

Cree將投資10億美元，擴大SiC碳化硅產能。

2019-05-13 標簽：SiC 科銳 3608 0

國產SiC MOSFET為什么遲遲還未上車？

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）SiC在電動汽車電驅模塊上的應用，隨著市場對電動汽車長續航、高壓電氣架構、快充等需求，正在加速普及。 ? 傳統硅基半導體由...

2022-07-06 標簽：SiC 碳化硅 SiCMOSFET 3586 0

GaN占據手機快充市場半壁江山，SiC該如何加入其中？

氮化鎵快充技術已非常成熟，快充市場被徹底激活，消費電子配件市場不斷迭代更新。GaN是一種寬禁帶半導體，具有高功率密度、高頻率、低能耗、寬禁帶等特點，被廣...

2021-09-16 標簽：SiC GaN GaN快充 3586 0

2023年國內主要碳化硅襯底供應商產能現狀

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內碳化硅產業經歷了可能是發展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進展神速，同時三安和天...

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GaN和SiC功率器件的基礎知識

在基本半導體特性（帶隙、臨界電場和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優異的材料。“Si 的帶隙略高于一個電子伏特，臨界電子場為 0.23 M...

2022-08-03 標簽：半導體 SiC GaN 3579 0

一文帶你從功率MOS入門到精通！

一、功率MOSFET的正向導通等效電路 (1)等效電路 (2)說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變...

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搶先看第三代半導體GaN與SiC技術沙龍

隨著全球5G網絡規模化部署和商業化進程加速，電動汽車驅動系統小型輕量化需求的提升，GaN和SiC功率半導體市場規模呈現井噴式增長，吸引了諸多國際廠商紛紛...

2019-05-09 標簽：SiC 3560 0

多款產品通過車規認證，國產SiC MOSFET加速上車

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年，國產SiC功率器件產品迎來了全面爆發，眾多廠商宣布入局或是推出車規級SiC MOSFET產品，尋求打進...

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? 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）今年5月英飛凌公布了專為AI數據中心設計的PSU（電源供應單元）路線圖，在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上，...

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