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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體擴大SiC晶圓供應合同
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）和為各種電子設備提供半導體的全球著名半導體制造商意法半導體（以下簡稱“ST”）宣布，...
中車半導體近日獲得了電投融合創(chuàng)新基金的投資。電投融合創(chuàng)新基金是由國家電投產業(yè)基金聯合常州市產業(yè)投資基金（有限合伙）、常州市武進區(qū)基金及其他國有資本共同發(fā)...
盡管傳統高壓平面MOSFET取得了進步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級結MOSFET(例如意法...
羅姆與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現有的150mm（...
據了解，世紀金芯近期在8英寸SiC襯底片領域取得重要突破，成功開發(fā)出可重復生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單晶生長技術。
電子發(fā)燒友網報道（文/李寧遠）在很多日常電氣設備的使用場景中，逆變器都充當了不可或缺的重要角色。逆變器的應用場景非常多，比如汽車旅游、野外作業(yè)、應急電源...
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFE...
碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，具備高電子遷移率、高熱導率以及高擊穿電場強度等特點。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩(wěn)定工作，同時比...
納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET
為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產品，在碳化硅芯片生產過程中施行嚴格的質量控制，所有碳化硅產品做到 100% 靜態(tài)電參數測試，100%抗雪崩能力測試。
頗有前景的半導體替代材料：SiC和GaN適用范圍及優(yōu)缺點介紹
自1954年以來，硅一直是先進技術發(fā)展的重要基石。人們普遍認為，硅作為電子元件基礎結構核心材料的地位不可動搖。
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...
這種耐高溫、承受高電壓、導熱性能好到驚人的材料，讓它在半導體、航空航天、電力電子等多個領域成為了革命性的材質選擇。換句話說，沒有碳化硅，許多現代技術根本...
森國科榮獲“2023年度電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產品牌企業(yè)成長之星”獎
4月12日，由華強電子網主辦的“2024半導體產業(yè)發(fā)展趨勢大會暨2023年度（第十六屆）華強電子網優(yōu)質供應商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產品牌頒獎盛典...
4月12日至14日，第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學術年會在安徽宣城隆重舉辦，本屆會議由中國高校電力電子與電力傳動學術年會組織委員會主辦，合肥工業(yè)大學承辦。
瞻芯電子將攜SiC器件及驅動芯片參展CIAS功率半導體新能源創(chuàng)新大會
4月23-24日，CIAS2024功率半導體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會將于蘇州獅山國際會議中心舉行。瞻芯電子將作為鉆石贊助商參展亮相，展示最新產品及方案，歡迎業(yè)...
世紀金芯公司采用模擬軟件，首先對坩堝、保溫層和加熱器等組成的熱場進行模擬計算，營造符合實際生長過程的溫度和溫度梯度。
華潤微電子兩項產品入選中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果產品手冊
華潤微“SiC JBS器件及系列化產品”“SiC MOSFET器件及系列化產品”兩項成果入選電子元器件領域科技創(chuàng)新成果
新質生產力賦能高質量發(fā)展，青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備！
4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過技術創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進展，在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。
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