多家半導(dǎo)體制造商都在今年大舉措擴(kuò)大產(chǎn)能，SiC競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)進(jìn)入白熱化

日本半導(dǎo)體制造商羅姆在ROHM Apollo Co．，Ltd．（總部位于日本福岡縣）筑后工廠投建的新廠房于近日完工，并將于本月開(kāi)始安裝生產(chǎn)設(shè)備，以滿足電...

2021-01-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 2341 0

羅姆推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC

在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢(shì)。基于這些優(yōu)勢(shì)，當(dāng)Si...

2019-04-24 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器SiCACDC 2331 0

寬帶隙半導(dǎo)體是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)

摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技...

2020-09-18 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體SiC 2311 0

SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀！

近年來(lái)，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹...

2022-11-24 標(biāo)簽：功率器件SiC功率半導(dǎo)體 2304 0

SiC產(chǎn)能爭(zhēng)奪戰(zhàn)持續(xù)！收購(gòu)廠房、綁定供應(yīng)，廠商擴(kuò)產(chǎn)手段多

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）第三代半導(dǎo)體，特別是碳化硅的產(chǎn)能擴(kuò)充，已經(jīng)成為海內(nèi)外功率半導(dǎo)體廠商的共識(shí)。碳化硅襯底作為過(guò)去很長(zhǎng)時(shí)間里，碳化硅產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)瓶...

2023-10-28 標(biāo)簽：SiC 2304 0

20億歐元巨資建SiC工廠 采埃孚入股Wolfspeed

SiC芯片可以幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)突破；碳化硅芯片電動(dòng)汽車壽命更長(zhǎng)。使用 SiC 芯片，電動(dòng)汽車的使用壽命更長(zhǎng)，充電速度更快，并且由于耗能更低，從而降低了運(yùn)...

2023-01-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器SiC 2302 0

充電樁全球規(guī)模向上，800V超充催化SiC模塊加速滲透

電子發(fā)燒友原創(chuàng) ?章鷹 ? ? 近日，國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)正式下達(dá)工業(yè)和信息化部提出、全國(guó)汽車標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口的《電動(dòng)汽車傳導(dǎo)充電用連接裝置 第1部...

2023-02-22 標(biāo)簽：SiC充電樁超充 2290 0

嘉興斯達(dá)微電子20億投資項(xiàng)目即將投用，新增建筑面積20.6萬(wàn)平米

該項(xiàng)目坐落于嘉興南湖區(qū)，投資總額達(dá)到20億元人民幣，占地總面積279畝，擬新建建筑20.6萬(wàn)平方米，包括生產(chǎn)廠房、動(dòng)力樓以及危險(xiǎn)化學(xué)品儲(chǔ)藏室等設(shè)施，同時(shí)...

2024-03-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體SiC 2276 0

需求持續(xù)擴(kuò)張，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2,900億元

受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.7...

2019-03-11 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFETIGBT 2265 0

SiC功率器件或?qū)⒓铀偃谌胲囕d充電器領(lǐng)域

新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng)，管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向和傳遞速度，傳統(tǒng)PCU使用硅基材料制成，強(qiáng)電流與高壓電穿過(guò)硅制...

2020-09-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體逆變器 2261 0

第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

2021年6月，富士經(jīng)濟(jì)對(duì)SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)進(jìn)行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 404...

2021-06-23 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2257 0

斯達(dá)或?qū)⒛假Y35億元,用于SiC芯片項(xiàng)目

3月2日晚間，斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布2021年度非公開(kāi)發(fā)行 A 股股票預(yù)案（以下簡(jiǎn)稱預(yù)案），計(jì)劃非公開(kāi)發(fā)行股票，募集資金總額不超過(guò)35億元，其中，20億元用于高...

2021-03-04 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 2254 0

傳比亞迪自建SiC產(chǎn)線，預(yù)計(jì)到明年有自己的產(chǎn)線

碳化硅（SiC）電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國(guó)際知名企業(yè)一致觀點(diǎn)。而比亞迪已經(jīng)開(kāi)始布局。 據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道，比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀...

2020-12-25 標(biāo)簽：比亞迪電力電子SiC 2236 0