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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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為何業(yè)界都看好碳化硅器件在汽車(chē)上的應(yīng)用？碳化硅在性能上比較原有器件有哪些優(yōu)勢(shì)？中電化合物半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張昊翔和比亞迪半導(dǎo)體有限公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)品...

2021-08-15 標(biāo)簽：IGBT 特斯拉 SiC 6673 0

碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來(lái)政策東風(fēng) 中國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

今天政策層面有一個(gè)大消息，特大消息，那就是我國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫(xiě)入十四五規(guī)劃，利好刺激下半導(dǎo)體、MINILED等科技股全天持續(xù)大...

2020-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 6632 0

意法半導(dǎo)體完成Norstel AB整體收購(gòu),可應(yīng)對(duì)SiC晶圓產(chǎn)能緊缺

據(jù)了解，Norstel將被完全整合到意法半導(dǎo)體的全球研發(fā)和制造業(yè)務(wù)中，繼續(xù)發(fā)展150mm碳化硅裸片和外延片生產(chǎn)業(yè)務(wù)研發(fā)200mm晶圓以及更廣泛的寬禁帶材料。

2019-12-03 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體 sic 6578 0

第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管：SCS3系列

前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。

2018-04-09 標(biāo)簽：二極管 SiC 漏電流 6538 0

中國(guó)第三代半導(dǎo)體真正要火起來(lái)并不容易，面臨四大問(wèn)題

政策，是最大的商機(jī)。在政策的支持下，第三代半導(dǎo)體真的會(huì)持續(xù)會(huì)火起來(lái)嗎？不過(guò)，從產(chǎn)業(yè)的角度來(lái)看，中國(guó)第三代半導(dǎo)體真正要火起來(lái)并不容易，面臨四大問(wèn)題。

2020-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造 SiC 6531 0

升級(jí)“中國(guó)芯”_中車(chē)時(shí)代電氣第三代功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線建設(shè)見(jiàn)聞

2月7日，株洲中車(chē)時(shí)代電氣SiC（碳化硅）生產(chǎn)線上，工人忙著生產(chǎn)。透過(guò)通透的玻璃擋板，可以看到從頭到腳“全副武裝”的粉色制服技術(shù)人員和藍(lán)色制服設(shè)備人員，...

2018-04-30 標(biāo)簽：IGBT SiC 功率半導(dǎo)體 6503 0

羅姆第五屆“ ROHM技術(shù)研討會(huì)”即將開(kāi)幕

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）即將舉辦2018第五屆“ROHM技術(shù)研討會(huì)”，屆時(shí)將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門(mén)、北京、惠州、合肥...

2018-08-23 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)SiC 羅姆 6495 0

英飛凌、NXP、瑞薩等十大汽車(chē)芯片廠，怎么看2024行情呢？

2019年汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大約372億美元，2020年受疫情影響縮減到355億美元，2021年增長(zhǎng)31.5%達(dá)到467億美元，2022年增長(zhǎng)約26%達(dá)...

2024-03-08 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 6464 0

SiC IGBT的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)分析

SiC IGBT的發(fā)展至少也有30年了，大眾視野中很少會(huì)提及到SiC IGBT產(chǎn)品，并不是沒(méi)有，只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言，SiC器件的制...

2020-10-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 晶體管 6418 0

科銳宣布將在美國(guó)紐約州建造全球最大SiC制造工廠

近日，科銳在官網(wǎng)宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)展，表示將在美國(guó)紐約州建造全球最大SiC制造工廠。

2019-09-26 標(biāo)簽：SiC 科銳 6296 0

SiC和GaN加速上車(chē)！2029年第三代半導(dǎo)體全球規(guī)模如何？Yole專家揭秘

近日，在慕尼黑上海電子展的論壇上，Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順從行業(yè)分析的角度向現(xiàn)場(chǎng)工程師和觀眾分享了全球碳化硅與氮化鎵市場(chǎng)最新發(fā)展...

2024-07-19 標(biāo)簽：SiC GaN 第三代半導(dǎo)體 6285 0

為何在新一代雙向OBC設(shè)計(jì)中選擇SiC而非Si ?

硅（Si）基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對(duì)容易的可獲性，長(zhǎng)期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導(dǎo)地位。然而，碳化硅（SiC）器件因其先天的巨大優(yōu)勢(shì)能夠很好...

2021-06-17 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 SiC 6232 0

發(fā)力新能源汽車(chē)和儲(chǔ)能市場(chǎng)，威兆半導(dǎo)體推出新一代700V SiC MOSFET

8月27日，在Elexcon2024深圳國(guó)際電子展上，威兆半導(dǎo)體正式發(fā)布了全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，這款...

2024-09-02 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)MOSFET IGBT 6038 0

300億！近十年內(nèi)亞洲最大的汽車(chē)電子融資！

1月20日消息，比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司已接受中金公司IPO輔導(dǎo)，并于近日在深圳證監(jiān)局完成輔導(dǎo)備案。行業(yè)專家認(rèn)為，比亞迪半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的汽車(chē)芯片...

2021-01-21 標(biāo)簽：比亞迪華為 IGBT 5996 1

世紀(jì)金光面向新能源汽車(chē)推出SiC MOSFET系列產(chǎn)品

世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底...

2019-03-10 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 5942 0

半導(dǎo)體用大尺寸單晶金剛石襯底制備及加工

金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結(jié)構(gòu)的原子晶體，屬于典型的面心立方(FCC)晶體，空間點(diǎn)群為 oh7-Fd3m。每個(gè)碳原子以 sp3雜化的方式與其周...

2023-08-08 標(biāo)簽：激光器 SiC AFM 5925 0

工業(yè)級(jí)SiC MOSFET的柵極氧化層可靠性

《工業(yè)級(jí)SiC MOSFET的柵極氧化層可靠性——偏壓溫度不穩(wěn)定性（BTI）》在正常使用器件時(shí)，由于半導(dǎo)體-氧化層界面處缺陷的產(chǎn)生和/或充放電，SiC...

2021-01-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電壓 SiC 5918 0

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化...

2021-08-16 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 CVD 5746 0

何謂SiC（碳化硅）？

碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開(kāi)始，我們先來(lái)了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)...

2023-02-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 5730 0

引領(lǐng)電動(dòng)汽車(chē)革新，羅姆PCIM展重磅展出二合一SiC模塊

8月28日到30日，羅姆半導(dǎo)體亮相于深圳舉辦的 “2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia），在本次展會(huì)上，羅姆首次展...

2024-09-03 標(biāo)簽：SiC 功率模塊羅姆 5722 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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手機(jī)快充

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”

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