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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2508個 瀏覽：62844次 帖子：124個

      sic資訊

      半導體材料“3C-SiC”的晶體純度和質量進展

      這次，合作團隊使用 Air Water 開發的 3C-SiC 晶體，評估了熱導率并進行了原子級分析。具體而言，首先，在硅(Si)基板上形成厚度100μm...

      2022-12-21 標簽：晶體SiC 2683 0

      2027年SiC晶圓需求量將達到110萬片

      Wolfspeed 材料高級副總裁兼總經理 Cengiz Balkas 博士表示：“Wolfspeed 在碳化硅領域擁有無與倫比的經驗積累，從而在應對快...

      2022-12-21 標簽：SiC碳化硅半導體芯片 688 0

      瞻芯電子完成數億元Pre-B輪融資

      上海瞻芯電子科技有限公司（以下簡稱“瞻芯電子”）宣布完成數億元Pre-B輪融資，本輪融資由上汽集團戰略直投基金、尚頎資本（上汽集團旗下私募股權投資平臺）...

      2022-12-21 標簽：晶圓SiC功率半導體 849 0

      志橙半導體：半導體芯片設備提供核心部件-SiC涂層石墨基座

      志橙半導體成立于2017年底，專注于為半導體芯片設備提供核心部件-SiC涂層石墨基座，據稱是國內首家、也是唯一一家實現石墨盤產業化的細分領域頭部企業，現...

      2022-12-20 標簽：芯片半導體材料SiC 4437 0

      海內外SiC產業在技術節點、產業鏈結構上有哪些差異？

      電子發燒友網報道（文/梁浩斌）最近海外關于中國第三代半導體的討論頗為熱鬧，不少機構都對中國SiC產業布局的進展、優勢等進行了分析，Yole Intell...

      2022-12-19 標簽：MOSFET節點SiC 2723 0

      光纖法珀式SiC耐高溫壓力傳感器的制造與測試

      光纖法珀式壓力傳感器由于無需引入金屬等其他材料，能夠最大限度地發揮傳感膜片等基體所用材料的耐高溫特性，可滿足高溫極端環境下的壓力測量要求。碳化硅（SiC...

      2022-12-15 標簽：壓力傳感器SiC 3202 0

      3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導熱材料的選擇

      研究人員對文獻中關于3C-SiC的實測熱導率一直存在一個困惑：3C-SiC低于結構更復雜的6H-SiC相，并且低于理論預測的k值。這與預測的結構復雜性和...

      2022-12-15 標簽：半導體SiC熱導率 1858 0

      國揚公司成功通過江蘇省專精特新中小企業和市級企業技術中心的認定

      日前，江蘇省工信廳公布了江蘇省2022年專精特新中小企業名單（第二批），揚州國揚電子有限公司成功入選；同時，國揚公司也順利通過了揚州市級企業技術中心的認...

      2022-12-14 標簽：IGBTSiC功率模塊 1950 0

      SiC制造企業的一場豪賭

      為了繼續滿足強勁的需求，SiC制造商正在或承諾投資數十億美元建設新的晶圓廠和工藝，以應對仍處于起步階段的市場。但潛在的問題是，SiC產品的增長預測主要是...

      2022-12-13 標簽：SiC供應鏈 465 0

      采用熔鹽法制備合成方法實現了BP的高產率

      器件的散熱性能是決定電子器件性能、壽命及穩定性的關鍵因素之一。隨著電子器件微型化、集成化、功能化, 高效散熱問題越來越引起科研人員的廣泛關注。電子元器件...

      2022-12-12 標簽：電子元器件SiC 1518 0

      利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術實現99.3%的系統能效

      CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實現99.3%的系統能效，且每個開關位置并聯三個器件。

      2022-12-12 標簽：FET驅動電路SiC 784 0

      第三代半導體碳化硅器件在應用領域的深度分析

      SiC（碳化硅）器件作為第三代半導體，具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性，碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和...

      2022-12-09 標簽：半導體SiC碳化硅 1438 0

      影響SiC和GaN器件選擇的主要因素有哪些

      由于其固有的特性，寬禁帶半導體(WBG)在許多功率應用中正逐步取代傳統的硅基器件。碳化硅(SiC)功率MOSFET的擊穿電壓高于1kV，這是電動汽車逆變...

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      與第一代硅（Si）半導體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導體材料（也稱為寬帶隙半導體材料）具有...

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      GaN為橫向組件，生長在不同基板上，例如SiC或Si基板，為異質磊晶技術，生產出來的GaN薄膜品質較差，雖然目前能應用在快充等民生消費領域，但用于電動車...

      2022-12-07 標簽：半導體功率器件SiC 2590 0

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      在圖形化、刻蝕、化學掩膜沉積、金屬鍍膜等工藝段，只需在現有設備上調整參數，基本上可以兼容適用。因此，產業上需要將 Si 基功率器件生產線轉換成 SiC ...

      2022-12-02 標簽：芯片SiC產業鏈 4202 0

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      相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考...

      2022-12-01 標簽：MOSFETSiC 1592 0

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      國產之光希科半導體： 引領SiC外延片量產新時代 希科半導體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發布 暨投產啟動儀式圓滿成功 中國蘇州，2022年11...

      2022-11-29 標簽：SiC碳化硅外延片 2655 0

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      ? ? ? 日本媒體報道稱日本羅姆（ROHM）12月將開始量產下一代功率半導體。原材料是碳化硅（SiC），羅姆花費約20年推進了研發。據稱，羅姆在福岡縣...

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