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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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用于下一代電動汽車的SiC MOSFET

設計人員在電動和混合動力汽車中提高能量轉換效率的重點是配備緊湊封裝和組裝的高熱可靠性電力電子模塊的設備，以減少開關損耗。

2022-08-08 標簽：電動汽車 MOSFET SiC 412 0

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用于航空航天和國防的 GaN 和 SiC 解決方案

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SiC器件如何改變半導體行業的面貌

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汽車應用中的寬帶隙材料

寬帶隙半導體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開關頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV ...

2022-08-08 標簽：SiC GaN 碳化硅 938 0

工業家合作滿足 GaN 和 SiC 市場需求

GaN和 SiC令人印象深刻的品質使它們深受業內人士的喜愛。然而，它帶來了滿足生產和供應需求的挑戰，因此專業人士、投資者和工業家正在合作以確保足夠的可用...

2022-08-08 標簽：SiC GaN 910 0

簡要介紹篩選后器件經過馬拉松（Marathon）實驗的典型結果

目前針對SiC的研究已相當深入，仍有不少人關注SiC材料的柵氧能力，本文對此再做一個簡要介紹。如圖1所示，相較于Si基材料，SiC與SiO2柵氧層界面缺...

2022-08-05 標簽：功率器件 SiC 派恩杰 1922 0

可靠性、創新、整體解決方案……碳化硅的新高度

對碳化硅 (SiC) 技術的需求持續增長，該技術可最大限度地提高當今電力系統的效率，同時減小其尺寸、重量和成本。但是 SiC 解決方案并不是硅的直接替代...

2022-08-05 標簽：半導體 SiC 碳化硅 757 0

用于SiC應用的低電感可編程柵極驅動器模塊

碳化硅半導體 (SiC) 在工業產品的效率、更高的外形尺寸和工作溫度方面提供了創新技術。SiC 技術現在被廣泛認為是硅的可靠替代品。許多功率模塊和功率逆...

2022-08-05 標簽：驅動器可編程 SiC 869 0

高壓寬帶隙諧振轉換器中MLCC的設計注意事項

在 SiC 逆變器中，DC-Link 電容器需要能夠處理高紋波電流、高電壓、高溫 (150C) 和高頻。H 橋中的緩沖電容器需要能夠處理高 dV/dt、...

2022-08-05 標簽：MLCC 逆變器 SiC 1211 0

碳化硅 (SiC) FET 推動電力電子技術發展

甲碳化硅（SiC） JFET是一結基于常導通晶體管類型，它提供了最低的導通電阻R DS（ON）的每單位面積和是一個強大的設備。與傳統 MOSFET 器件...

2022-08-05 標簽：半導體電力電子 FET 1215 0

從瓦特到兆瓦：碳化硅的優勢及性能

設計人員當然對碳化硅感興趣，因為它具有潛力。這種潛力包括：在不損失效率的情況下實現高頻開關——這意味著更快的開關和更低的開關損耗。導通電阻 (RDS...

2022-08-05 標簽：半導體 SiC 碳化硅 1161 0

測試、測量試驗，確認 GaN 技術的價值

通過測試和測量持久力來評估電子設備的質量和耐用性。評估氮化鎵 (GaN)價值的測試勢在必行，因為它自誕生以來就具有巨大的潛力，可以實現更高效的功率轉換，...

2022-08-05 標簽：半導體工業 SiC 1266 0

用于 5G 行業的射頻功率半導體

使用 WBG 材料的射頻功率半導體解決了 5G 應用中的許多技術挑戰，縮小了與舊的基于硅的技術之間的差距。 5G 技術的進步正在推動半導體行業面臨新的技...

2022-08-05 標簽：射頻 SiC GaN 1508 0

電源設計說明：讓我們使用SiC MOSFET構建雙向降壓-升壓轉換器

隨著高效蓄能器（電池和超級電容器）的大量使用，趨勢是朝著更好的電流管理方向發展。雙向 DC/DC 轉換器可以保持電池健康并延長其使用壽命。

2022-08-05 標簽：MOSFET 電源設計升壓轉換器 860 0

使用 WBG 半導體進行設計需要更多的奉獻精神

工程師熟悉電磁干擾、并聯和布局，但在從硅基芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時，需要多加注意。據chip稱，硅（Si）基半導體比寬帶隙（WBG）半導體領先十...

2022-08-05 標簽：半導體設計 SiC 1004 0

碳化硅、氮化鎵：注意帶隙

近年來，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）半導體受到了廣泛關注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復雜的電子產品。S...

2022-08-05 標簽：電動汽車半導體 SiC 948 0

使用SiC實現太陽能和可再生能源功率轉換

Wolfspeed SiC 目前支持廣泛的應用，因為事實證明，基于 SiC 的解決方案比傳統的基于 Si 的解決方案具有更高的效率、功率密度和系統成本效...

2022-08-04 標簽：功率轉換 SiC 可再生能源 562 0

如何消除SiC MOSFET——柵極電路設計中的錯誤及其對穩健性的影響

為什么需要關注 SiC MOSFET 柵極？盡管具有傳統的 SiO 2柵極氧化物，但該氧化物的性能比傳統 Si 基半導體中的經典 Si-SiO 2界面更...

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SiC FET 速度極快，邊緣速率為 50 V/ns 或更高，這對于最大限度地減少開關損耗非常有用，但由此產生的 di/dt 可能達到每納秒數安培。這會...

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