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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC供不應(yīng)求 國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展將進入到一個新階段
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)SiC供不應(yīng)求,已經(jīng)是行業(yè)共識。自從電動汽車興起,特斯拉率先在電動汽車上大規(guī)模應(yīng)用SiC功率器件,需求開始爆發(fā)后,產(chǎn)能不足...
全球SiC產(chǎn)能“戰(zhàn)備競賽”打響,國內(nèi)擴產(chǎn)進度如何?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)SiC供不應(yīng)求,已經(jīng)是行業(yè)共識。自從電動汽車興起,特斯拉率先在電動汽車上大規(guī)模應(yīng)用SiC功率器件,需求開始爆發(fā)后,產(chǎn)能不足...
前段時間,Soitec宣布8英寸SiC量產(chǎn),而且還投資23億建線(。點這里。),更為關(guān)鍵的是他們號稱能讓單塊SiC晶錠產(chǎn)量增加10倍,使SiC MOSF...
高溫熔融沉積結(jié)合反應(yīng)燒結(jié)制備SiC陶瓷新方法
碳化硅(SiC)陶瓷由于其低密度、高剛度、低熱膨脹、高光學質(zhì)量和優(yōu)良的尺寸穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于航空航天、石油化工、集成電路等領(lǐng)域。但碳化硅陶瓷的硬度高、脆...
重點分析和綜述碳化硅功率模塊封裝中的4個關(guān)鍵問題
SiC與第1代半導體材料硅(Si)、鍺(Ge)和第 2 代半導體材料砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比,其禁帶...
以SiC市場為例,美國在SiC 領(lǐng)域全球獨大,美國Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ、Transphorm、道康寧等行業(yè)巨頭占據(jù)了全球70%以上的市場份額。
傳統(tǒng)硅基半導體由于自身物理性質(zhì)受限 ,在高溫、高壓、高頻、高功率等領(lǐng)域上性能上限較低。
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)SiC在電動汽車電驅(qū)模塊上的應(yīng)用,隨著市場對電動汽車長續(xù)航、高壓電氣架構(gòu)、快充等需求,正在加速普及。 ? 傳統(tǒng)硅基半導體由...
富昌電子SiC設(shè)計分享(三):SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導體的實際應(yīng)用領(lǐng)域...
安森美SiC有助于變革性地優(yōu)化UPS設(shè)計
隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展,市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展,設(shè)計人員面...
安森美的VE-TracTM SiC系列為電動車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢
雙碳目標正加速推進汽車向電動化發(fā)展,半導體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車,新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動車的未來,如在關(guān)鍵...
利用數(shù)值模擬軟件構(gòu)建了兩種6英寸SiC單晶生長模型
碳化硅( SiC) 材料具有禁帶寬度大、飽和電子速度高、臨界擊穿電場強度高、熱導率高等特性,其品質(zhì)因子優(yōu)異,在高溫、高頻、大功率及抗輻射領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
隨著這些公司將 SiC 發(fā)展為價值數(shù)十億美元的業(yè)務(wù),未來幾年的競爭也可以在供應(yīng)鏈整合中確定。主要參與者選擇了 IDM 商業(yè)模式,碳化硅領(lǐng)域的多次并購 (...
富昌電子SiC設(shè)計分享(二):碳化硅器件驅(qū)動設(shè)計之寄生導通問題探討
作者:富昌電子 星空 ??校稿:富昌電子 蕭峰 ? 富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個性化的解決方...
2022-06-16 標簽:富昌電子SiC驅(qū)動設(shè)計 10.9萬 0
SiC功率元器件在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用
與傳統(tǒng)的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經(jīng)成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。并且SiC讓設(shè)計...
2.95億晉升第一大股東!揚杰科技收購楚微半導體40%股權(quán),布局SiC業(yè)務(wù)
在業(yè)內(nèi)頻傳并購消息時,揚杰科技發(fā)布公告稱,將以公開摘牌方式收購楚微半導體40%的股權(quán),成交價格為2.95億元。交易完成后,揚杰科技將成為楚微半導體的第一...
UnitedSiC第四代技術(shù)提供TO247-4L封裝
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
PFC控制軟件的總體架構(gòu)如圖2所示。該設(shè)計的核心是Xilinx的Zynq 7000 SoC,它包含ARM內(nèi)核和FPGA內(nèi)核。Zynq 7000安裝在通用...
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