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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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第三代半導(dǎo)體制造材料碳化硅性能優(yōu)勢(shì)突出
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)空間廣闊,制造材料銷(xiāo)售額占比不斷提高。全球半導(dǎo)體材料銷(xiāo)售額規(guī)模不斷上升,2015 年至 2019 年復(fù)合增長(zhǎng)率為 4.8%;中國(guó)大陸半導(dǎo)體...
如何優(yōu)化不同SiC功率組件到其最終系統(tǒng)的集成
第二項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試是短路耐受時(shí)間(SCWT),或者說(shuō)軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的極長(zhǎng)耐受時(shí)間。測(cè)試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT,其中大多數(shù)擁有...
汽車(chē)級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介
就在德國(guó)紐倫堡PCIM Europe展會(huì)的最后一天,Power Integrations(PI)在線(xiàn)上舉辦新品溝通會(huì),PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Y...
2022-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器PIIGBT 4190 0
揭秘走在國(guó)產(chǎn)替代前列的刻蝕設(shè)備
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布:公司已與華中科技大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將攜手研發(fā)針對(duì)碳化硅(SiC...
光隔離探頭在第三代半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試的應(yīng)用
日前,基于SiC和GaN的第三代半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展,其對(duì)應(yīng)的分立器件性能測(cè)試需求也隨之而來(lái)。其較高的dv/dt與di/dt給性能測(cè)試帶了不少困難。泰克的...
PI推出汽車(chē)級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV
Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門(mén)極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適...
這一發(fā)現(xiàn)是一項(xiàng)突破,因?yàn)樗兄趯?duì)最初看起來(lái)工作正常但在生產(chǎn)過(guò)程中幾乎無(wú)法發(fā)現(xiàn)的缺陷進(jìn)行分類(lèi)。該研究論文不僅解釋了為什么這些器件具有異常的柵極傳導(dǎo),...
采用MOSFET和驅(qū)動(dòng)器提高智能電源方案的能效和可靠性
盡管SiC 基MOSFET的成本仍高于硅基MOSFET,但成本卻下降了,電感和電容器的相關(guān)節(jié)省(其值低于硅設(shè)計(jì))意味著SiC基電源方案的物料單(Bo...
通過(guò)WBG器件助于實(shí)現(xiàn)能效更高的太陽(yáng)能發(fā)電方案
如果考慮到無(wú)源元器件的節(jié)省,盡管SiC器件的成本較高,但基于WBG的電源方案的總成本現(xiàn)在相當(dāng)于或略低于Si基方案。
2022-05-09 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體SiC 1316 0
碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用
因此,如果要提高驅(qū)動(dòng)效率及延長(zhǎng)系統(tǒng)的工作壽命時(shí),遷移到SiC 肖特基顯然是有利的。那么我們何以采取更進(jìn)一步的方案呢?
典型電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件
作為一個(gè)新生的、快速發(fā)展的市場(chǎng),快速直流電動(dòng)車(chē)充電器的要求和使用案例在不斷升級(jí),留下了一個(gè)需要各種解決方案和不同優(yōu)化的空間。
Wolfspeed碳化硅(SiC)制造工廠(chǎng)正式開(kāi)業(yè)
位于美國(guó)紐約州的新工廠(chǎng)擴(kuò)大 Wolfspeed 制造產(chǎn)能,滿(mǎn)足從汽車(chē)到工業(yè)等諸多應(yīng)用對(duì)于 SiC 器件急劇增長(zhǎng)的需求。
2022-04-27 標(biāo)簽:SiC晶圓工廠(chǎng)碳化硅 584 0
使用AlN(氮化鋁)成功實(shí)現(xiàn)晶體管操作
在物理性能方面,AIN比碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有更小的損耗和更高的耐壓,因此可以形成高壓高效的電源電路。AlN具有6.0eV的“帶隙”,即...
2022-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 2599 0
SiCrystal成為SiC晶圓市場(chǎng)的先進(jìn)企業(yè)之一
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆集團(tuán)旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiCrystal”)迎來(lái)了成立25周年紀(jì)念日。
為何新能源汽車(chē)減產(chǎn),SiC生產(chǎn)線(xiàn)依舊需要擴(kuò)產(chǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近期,芯片短缺帶來(lái)的影響傳導(dǎo)到新能源汽車(chē)、智能手機(jī)等終端市場(chǎng),這其中對(duì)于新能源汽車(chē)的影響更加露骨。從1月份至3月份,新能源...
2022-04-20 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SiC碳化硅 1309 0
前言:【核芯觀(guān)察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專(zhuān)欄,目的是用最直觀(guān)的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)鏈,理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié),同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)...
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實(shí)現(xiàn)更高功率,更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化...
碳化硅(SiC)在設(shè)計(jì)大功率電子器件方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅,開(kāi)發(fā)者們對(duì)SiC材料的物理特性還有性能有較多的認(rèn)識(shí),這種高性能化合物半導(dǎo)體的被廣泛采用,但在應(yīng)用中如...
前言:【核芯觀(guān)察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專(zhuān)欄,目的是用最直觀(guān)的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu),理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié),同時(shí)迅速了解各大細(xì)分...
2022-04-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)SiC 3701 0
SiC發(fā)展遭遇首次挫折,特斯拉召回12.8萬(wàn)輛Model3
(文/程文智)近幾年來(lái),SiC器件的發(fā)展可謂是順風(fēng)順?biāo)詮奶厮估贛odel?3上采用SiC?MOSFET后,各大汽車(chē)廠(chǎng)商也都摩拳擦掌,都開(kāi)始準(zhǔn)備采用...
2022-04-16 標(biāo)簽:特斯拉SiC汽車(chē)廠(chǎng)商 5463 0
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