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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

第三代半導(dǎo)體制造材料碳化硅性能優(yōu)勢(shì)突出

半導(dǎo)體材料市場(chǎng)空間廣闊,制造材料銷(xiāo)售額占比不斷提高。全球半導(dǎo)體材料銷(xiāo)售額規(guī)模不斷上升,2015 年至 2019 年復(fù)合增長(zhǎng)率為 4.8%;中國(guó)大陸半導(dǎo)體...

2022-06-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.2萬(wàn) 0

如何優(yōu)化不同SiC功率組件到其最終系統(tǒng)的集成

第二項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試是短路耐受時(shí)間(SCWT),或者說(shuō)軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的極長(zhǎng)耐受時(shí)間。測(cè)試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT,其中大多數(shù)擁有...

2022-05-25 標(biāo)簽:SiC碳化硅 784 0

汽車(chē)級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介

就在德國(guó)紐倫堡PCIM Europe展會(huì)的最后一天,Power Integrations(PI)在線(xiàn)上舉辦新品溝通會(huì),PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Y...

2022-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器PIIGBT 4190 0

揭秘走在國(guó)產(chǎn)替代前列的刻蝕設(shè)備

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布:公司已與華中科技大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將攜手研發(fā)針對(duì)碳化硅(SiC...

2022-05-12 標(biāo)簽:芯片SiC刻蝕設(shè)備 475 0

光隔離探頭在第三代半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試的應(yīng)用

光隔離探頭在第三代半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試的應(yīng)用

日前,基于SiC和GaN的第三代半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展,其對(duì)應(yīng)的分立器件性能測(cè)試需求也隨之而來(lái)。其較高的dv/dt與di/dt給性能測(cè)試帶了不少困難。泰克的...

2022-05-12 標(biāo)簽:IGBTSiC脈沖測(cè)試 1936 0

PI推出汽車(chē)級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV

Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門(mén)極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適...

2022-05-10 標(biāo)簽:PIIGBTSiC 4517 0

缺陷與SiC功率器件間的可行性之間關(guān)系

  這一發(fā)現(xiàn)是一項(xiàng)突破,因?yàn)樗兄趯?duì)最初看起來(lái)工作正常但在生產(chǎn)過(guò)程中幾乎無(wú)法發(fā)現(xiàn)的缺陷進(jìn)行分類(lèi)。該研究論文不僅解釋了為什么這些器件具有異常的柵極傳導(dǎo),...

2022-05-10 標(biāo)簽:STSiC 1080 0

采用MOSFET和驅(qū)動(dòng)器提高智能電源方案的能效和可靠性

采用MOSFET和驅(qū)動(dòng)器提高智能電源方案的能效和可靠性

  盡管SiC 基MOSFET的成本仍高于硅基MOSFET,但成本卻下降了,電感和電容器的相關(guān)節(jié)省(其值低于硅設(shè)計(jì))意味著SiC基電源方案的物料單(Bo...

2022-05-09 標(biāo)簽:電容器MOSFETSiC 1073 0

通過(guò)WBG器件助于實(shí)現(xiàn)能效更高的太陽(yáng)能發(fā)電方案

通過(guò)WBG器件助于實(shí)現(xiàn)能效更高的太陽(yáng)能發(fā)電方案

  如果考慮到無(wú)源元器件的節(jié)省,盡管SiC器件的成本較高,但基于WBG的電源方案的總成本現(xiàn)在相當(dāng)于或略低于Si基方案。

2022-05-09 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體SiC 1316 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用

碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用

因此,如果要提高驅(qū)動(dòng)效率及延長(zhǎng)系統(tǒng)的工作壽命時(shí),遷移到SiC 肖特基顯然是有利的。那么我們何以采取更進(jìn)一步的方案呢?

2022-05-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 1554 0

典型電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件

典型電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件

作為一個(gè)新生的、快速發(fā)展的市場(chǎng),快速直流電動(dòng)車(chē)充電器的要求和使用案例在不斷升級(jí),留下了一個(gè)需要各種解決方案和不同優(yōu)化的空間。

2022-05-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器SiC 3465 0

Wolfspeed碳化硅(SiC)制造工廠(chǎng)正式開(kāi)業(yè)

位于美國(guó)紐約州的新工廠(chǎng)擴(kuò)大 Wolfspeed 制造產(chǎn)能,滿(mǎn)足從汽車(chē)到工業(yè)等諸多應(yīng)用對(duì)于 SiC 器件急劇增長(zhǎng)的需求。

2022-04-27 標(biāo)簽:SiC晶圓工廠(chǎng)碳化硅 584 0

使用AlN(氮化鋁)成功實(shí)現(xiàn)晶體管操作

在物理性能方面,AIN比碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有更小的損耗和更高的耐壓,因此可以形成高壓高效的電源電路。AlN具有6.0eV的“帶隙”,即...

2022-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 2599 0

SiCrystal成為SiC晶圓市場(chǎng)的先進(jìn)企業(yè)之一

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆集團(tuán)旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiCrystal”)迎來(lái)了成立25周年紀(jì)念日。

2022-04-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC羅姆 1146 0

為何新能源汽車(chē)減產(chǎn),SiC生產(chǎn)線(xiàn)依舊需要擴(kuò)產(chǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近期,芯片短缺帶來(lái)的影響傳導(dǎo)到新能源汽車(chē)、智能手機(jī)等終端市場(chǎng),這其中對(duì)于新能源汽車(chē)的影響更加露骨。從1月份至3月份,新能源...

2022-04-20 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SiC碳化硅 1309 0

第三代半導(dǎo)體概念及發(fā)展歷程

前言:【核芯觀(guān)察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專(zhuān)欄,目的是用最直觀(guān)的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)鏈,理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié),同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)...

2022-04-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 2.2萬(wàn) 0

一文知道GaN和SiC區(qū)別

半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實(shí)現(xiàn)更高功率,更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化...

2022-04-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 6881 0

SiC晶體具有哪些特性

碳化硅(SiC)在設(shè)計(jì)大功率電子器件方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅,開(kāi)發(fā)者們對(duì)SiC材料的物理特性還有性能有較多的認(rèn)識(shí),這種高性能化合物半導(dǎo)體的被廣泛采用,但在應(yīng)用中如...

2022-04-16 標(biāo)簽:電子器件SiC碳化硅 3121 0

8英寸布局加速,襯底單位成本三年時(shí)間幾乎減半

前言:【核芯觀(guān)察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專(zhuān)欄,目的是用最直觀(guān)的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu),理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié),同時(shí)迅速了解各大細(xì)分...

2022-04-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)SiC 3701 0

SiC發(fā)展遭遇首次挫折,特斯拉召回12.8萬(wàn)輛Model3

(文/程文智)近幾年來(lái),SiC器件的發(fā)展可謂是順風(fēng)順?biāo)詮奶厮估贛odel?3上采用SiC?MOSFET后,各大汽車(chē)廠(chǎng)商也都摩拳擦掌,都開(kāi)始準(zhǔn)備采用...

2022-04-16 標(biāo)簽:特斯拉SiC汽車(chē)廠(chǎng)商 5463 0

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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    無(wú)線(xiàn)供電,是一種方便安全的新技術(shù),無(wú)需任何物理上的連接,電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
  • 寧德時(shí)代
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  • 艾德克斯
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    ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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    國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟(Wireless Power Consortium,WPC)2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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    逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電,若直流電壓較低,則通過(guò)交流變壓器升壓,即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器,由于直流母線(xiàn)電壓較高,交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V,在中、小容量的逆變器中,由于直流電壓較低,如12V、24V,就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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  • LT8705
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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BLDC PLC 碳化硅 二極管 OpenAI 元宇宙 安森美 ADI
無(wú)刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
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伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國(guó)民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
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線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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