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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

GaN占據(jù)手機(jī)快充市場(chǎng)半壁江山,SiC該如何加入其中?

氮化鎵快充技術(shù)已非常成熟,快充市場(chǎng)被徹底激活,消費(fèi)電子配件市場(chǎng)不斷迭代更新。GaN是一種寬禁帶半導(dǎo)體,具有高功率密度、高頻率、低能耗、寬禁帶等特點(diǎn),被廣...

2021-09-16 標(biāo)簽:SiCGaNGaN快充 3592 0

UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。

2021-09-14 標(biāo)簽:SiC寬禁帶UnitedSiC 775 0

汽車電氣化趨勢(shì)下眾企紛紛布局車用SiC市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))隨著科技的不斷迭代更新,汽車領(lǐng)域進(jìn)入了電氣化時(shí)代。電動(dòng)汽車的電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)不斷地往輕型化、小型化發(fā)展,快速充電也是眾多電動(dòng)車車...

2021-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電機(jī)控制器SiC 2431 0

從PCIM Asia 2021看電力電子發(fā)展趨勢(shì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)PCIM Asia自2002年進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)后,到今年已經(jīng)有20年了,以前該展會(huì)都是在上海舉辦,今年首次來(lái)到了深圳。一直以來(lái)...

2021-09-13 標(biāo)簽:IGBTSiCPCIM Asia 2086 0

汽車電氣化趨勢(shì)不可逆轉(zhuǎn),眾企紛紛布局車用SiC市場(chǎng)

汽車電氣化趨勢(shì)不可逆轉(zhuǎn),眾企紛紛布局車用SiC市場(chǎng)

隨著科技的不斷迭代更新,汽車領(lǐng)域進(jìn)入了電氣化時(shí)代。電動(dòng)汽車的電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)不斷地往輕型化、小型化發(fā)展,快速充電也是眾多電動(dòng)車車主的追求。先進(jìn)的材料才是電動(dòng)...

2021-09-13 標(biāo)簽:SiC 3282 0

國(guó)產(chǎn)SiC & GaN功率器件已達(dá)國(guó)際一流水平,組建歐洲銷售團(tuán)隊(duì)“出海

日前,SiC & GaN功率器件設(shè)計(jì)和方案商派恩杰官方正式宣告與德國(guó)Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團(tuán)隊(duì)。

2021-09-09 標(biāo)簽:晶圓代工SiCGaN功率器件 1196 0

X-FAB與派恩杰達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作,共同推動(dòng)全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展

模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國(guó)產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對(duì)外宣布,雙方就批量生產(chǎn)SiC晶...

2021-09-07 標(biāo)簽:晶圓代工功率器件SiC 1454 0

第三代半導(dǎo)體熱潮“帶貨”沉積設(shè)備需求,供應(yīng)鏈與服務(wù)本地化成關(guān)鍵考量

第三代半導(dǎo)體熱潮“帶貨”沉積設(shè)備需求,供應(yīng)鏈與服務(wù)本地化成關(guān)鍵考量

業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)和化學(xué)式真空鍍膜(CVD)等,其中ALD屬于CVD的一種,屬于當(dāng)下最先進(jìn)的薄膜...

2021-09-03 標(biāo)簽:SiCGaN功率器件 1285 0

第三代半導(dǎo)體的技術(shù)價(jià)值、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)

第三代半導(dǎo)體的技術(shù)價(jià)值、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)

從英飛凌SiC器件的發(fā)展史,可以看出SiC技術(shù)的發(fā)展歷程和趨勢(shì)。我們深知平面柵的可靠性問(wèn)題,在溝槽柵沒(méi)有開發(fā)完成之前,通過(guò)SiC JFET這一過(guò)渡產(chǎn)品,...

2021-08-30 標(biāo)簽:晶圓SiC碳化硅 1269 0

安森美(onsemi)將收購(gòu)GT Advanced Technologies

該交易將使安森美更好地確保和增加SiC的供應(yīng),滿足客戶對(duì)可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)中基于SiC的方案的快速增長(zhǎng)需求,包括EV、EV 充電和能源基礎(chǔ)設(shè)施。

2021-08-26 標(biāo)簽:安森美功率開關(guān)SiC 837 0

50余款達(dá)國(guó)際一流水平的國(guó)產(chǎn)SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及應(yīng)用DEMO即將亮相PCIM展

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據(jù)2021深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(PCIM展)主辦方公布的信息,第三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和方案商派恩杰半導(dǎo)體已確定參展,展位號(hào)E43。

2021-08-25 標(biāo)簽:SiC電力元件車載充電機(jī) 1197 0

Cree|Wolfspeed與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大現(xiàn)有150mm SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議

Cree|Wolfspeed與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大現(xiàn)有150mm SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議

意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Marc Chery 表示:“此次最新的擴(kuò)大與科銳的長(zhǎng)期晶圓供應(yīng)協(xié)議,將繼續(xù)提高我們?nèi)?SiC 襯底供應(yīng)的靈活性。

2021-08-20 標(biāo)簽:晶圓CreeSiC 1394 0

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化...

2021-08-16 標(biāo)簽:SiC碳化硅CVD 5757 0

特斯拉、比亞迪旗艦轎車率先啟用的碳化硅器件,為什么這么火?

為何業(yè)界都看好碳化硅器件在汽車上的應(yīng)用?碳化硅在性能上比較原有器件有哪些優(yōu)勢(shì)?中電化合物半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張昊翔和比亞迪半導(dǎo)體有限公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)品...

2021-08-15 標(biāo)簽:IGBT特斯拉SiC 6676 0

SiC器件頻繁在高功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)中應(yīng)用

前言 近年來(lái),電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶(WBG)材料的興起,即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。WBG材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高...

2021-08-13 標(biāo)簽:PWM電動(dòng)機(jī)SiC 2532 0

解密羅姆“中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃”:打造電動(dòng)汽車市場(chǎng)全球份額NO.1的產(chǎn)品

汽車電動(dòng)化,被認(rèn)為是汽車產(chǎn)業(yè)百年未有之大變局,電池、電機(jī)和電控系統(tǒng)成為一臺(tái)車子新的“三大件”,也重塑了汽車產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈,從開發(fā)、生產(chǎn)、使用到維護(hù)引入了全新...

2021-08-05 標(biāo)簽:功率器件SiC羅姆 1849 0

安森美半導(dǎo)體將在上海AMTS展示 用于未來(lái)汽車的電源和感知方案

AR0144AT駕駛員監(jiān)測(cè)系統(tǒng)具有一個(gè)100萬(wàn)像素傳感器,對(duì)紅外(940納米)LED照明的高靈敏度進(jìn)行了優(yōu)化,并具有行業(yè)領(lǐng)先的快門效率,實(shí)現(xiàn)精確的眼睛/...

2021-07-02 標(biāo)簽:新能源汽車led照明電源模塊 2519 0

英飛凌如何確保SiC的適用性和準(zhǔn)確性

阿里達(dá)摩院發(fā)表了2021十大科技趨勢(shì),令業(yè)內(nèi)歡欣鼓舞的是“以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)”列為十大之首。未來(lái)幾年,以氮化鎵和碳化硅為...

2021-06-30 標(biāo)簽:英飛凌二極管sic 1731 0

第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

2021年6月,富士經(jīng)濟(jì)對(duì)SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)進(jìn)行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 404...

2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2246 0

ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

ROHM針對(duì)這些挑戰(zhàn),于2019年開始開發(fā)內(nèi)置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC...

2021-06-20 標(biāo)簽:MOSFETSiCRohm 1138 0

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