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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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簡述4H-SiC無線無源高溫壓力傳感器設計

高溫壓力傳感器研制的主要目的是解決高溫惡劣環境下的壓力測量問題，SiC是制造高溫壓力傳感器的理想材料，結合

2021-04-06 標簽：諧振電路 SiC 高溫壓力傳感器 5499 0

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2021-03-27 標簽：半導體晶體 SiC 9745 0

簡述仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性

前言背景：英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管...

2021-03-26 標簽：二極管電流 IGBT 2705 0

賦能未來，勇往直前---科銳聯合創始人發表SiC MOSFET十周年文章

在2011年，在經過了將近二十年的研發之后，科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業界先前曾十分懷疑這是否可能實現。

2021-03-17 標簽：MOSFET Cree SiC 782 0

電源設計注意事項：組件的絕對最大額定值的測量和控制

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2021-03-12 標簽：電源設計 PSPICE SiC 1254 0

SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性分析

關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。這篇微信文章將延續“仿真看世界”系列一貫之風格，借助器件S...

2021-03-11 標簽：電路 SiC 3762 0

創新工藝可以消除SiC襯底中的缺陷

日本關西學院大學和豐田通商于3月1日宣布，他們已開發出“動態AGE-ing”技術，這是一種表面納米控制工藝技術，可以消除使SiC襯底上的半導體性能變差的缺陷。

2021-03-06 標簽：晶圓 SiC 3376 0

斯達半導擬定增不超35億元,加碼碳化硅功率芯片

嘉興斯達半導體股份有限公司（以下簡稱“斯達半導”）發布2021年度非公開發行A股股票預案，公司擬定增不超35億元，投建SiC芯片/功率半導體模塊等項目。

2021-03-04 標簽：芯片半導體 IGBT 2083 0

斯達或將募資35億元,用于SiC芯片項目

3月2日晚間，斯達半導體發布2021年度非公開發行 A 股股票預案（以下簡稱預案），計劃非公開發行股票，募集資金總額不超過35億元，其中，20億元用于高...

2021-03-04 標簽：芯片集成電路半導體 2244 0

斯達擬募集資金總額不超過35億元

其中，高壓特色工藝功率芯片和SiC 芯片研發及產業化項目也是斯達這次的募資重點。眾所周知，近年來，因為新能源汽車的火熱，SiC成為了產業的關注重點，作為...

2021-03-03 標簽：芯片半導體功率器件 1768 0

一文了解碳化硅和氮化鎵

上世紀五十年代以來，以硅（Si）材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發了集成電路（IC）為核心的微電子領域迅速發展。然而，由于硅材料的帶隙較...

2021-03-01 標簽：集成電路半導體 SiC 2.4萬 0

碳化硅(SiC)龍頭企業Cree年底改名為Wolfspeed

Cree方面表示，“我們的團隊對于創新和超越可能極限的承諾將始終不變。作為碳化硅SiC產業的全球引領者，我們已經做好準備，在未來賦能實現開創性的、高效節...

2021-02-05 標簽：led 半導體照明 4454 0

特斯拉引爆的車用SiC市場

報道指出，特斯拉的Model3是第一個應用碳化硅（sic）功率元器件的電動車型，用的是來自意法半導體的650v sic mosfet。相比于在Model...

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第三代半導體SiC器件的性能優勢

第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb），主要用于制作高速、高頻、大功率以及發光電子器件（LED），是制作高性...

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《碳化硅產品級別的質量認證》 1. 根據實際應用條件進行超越當前標準的測試對分立器件和模塊，均按相關標準進行常規檢測，其中包括HTRB、H3TRB和H...

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今天我們繼續講解 ? 《淺談SiC MOSFET體二極管雙極性退化問題》 ? 機制在雙極性運行（PN結，比如MOSFET的體二極管，在導電時）條件下，...

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Vishay推出新型650V SiC肖特基二極管，提升高頻應用能效

器件適用于服務器、電信設備、UPS和太陽能逆變器等應用領域的功率因數校正（PFC）續流、升降壓續流和LLC轉換器輸出整流，為設計人員實現系統優化提供高靈活性。

2021-01-28 標簽：UPS Vishay 肖特基二極管 996 0

關于英飛凌CoolSiC MOSFET的抗短路能力

雖然如今設計的典型工業級IGBT可以應付大約10μs的短路時間，但SiC MOSFET幾乎沒有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOS...

2021-01-26 標簽：芯片電路 IGBT 5221 0

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